Nec NGB8202NT4 — IGBT-транзистор

Описание

NGB8202NT4 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства компании ON Semiconductor (ранее — подразделение Semiconductor Components Industries, LLC, торговый бренд NEC). Транзистор предназначен для работы в импульсных силовых схемах с высоким напряжением и током.

Прибор сочетает преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление, малая мощность управления) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии). Благодаря логическому уровню управления затвором (Logic Level) он может управляться напрямую от микроконтроллеров и логических схем без дополнительных драйверов.

Типовые области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Управление электродвигателями
• Схемы зажигания, строчная развертка (устаревшие применения)
• Балласты для газоразрядных ламп
• Сварочное оборудование
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)

Корпус: TO-220AB (полностью изолированный вариант возможен) Упаковка: транзистор поставляется в тубах или лентах в зависимости от исполнения.

Технические характеристики

Абсолютные максимальные значения (при Tc = 25 °C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. | |---|---|---|---| | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces | 600 | В | | Напряжение затвор-эмиттер | Vges | ±20 | В | | Постоянный ток коллектора (Tc=25°C) | Ic | 20 | А | | Постоянный ток коллектора (Tc=100°C) | Ic | 10 | А | | Импульсный ток коллектора | Icm | 60 | А | | Рассеиваемая мощность (Tc=25°C) | Pd | 100 | Вт | | Рассеиваемая мощность (Tc=100°C) | Pd | 40 | Вт | | Рабочая температура перехода | Tj | −55…+150 | °C | | Температура хранения | Tstg | −55…+150 | °C |

Электрические характеристики (Tc = 25 °C)

| Параметр | Обозначение | Мин | Тип | Макс | Ед. | |---|---|---|---|---|---| | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | V(br)ces | 600 | — | — | В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ic=10A, Vge=5V) | Vce(sat) | — | 1.7 | 2.2 | В | | Пороговое напряжение затвора | Vge(th) | 1.0 | — | 2.0 | В | | Ток утечки коллектор-эмиттер (Vce=600V) | Ices | — | — | 250 | мкА | | Ток утечки затвор-эмиттер (Vge=±20V) | Iges | — | — | ±500 | нА | | Входная ёмкость | Cies | — | 1200 | — | пФ | | Выходная ёмкость | Coes | — | 120 | — | пФ | | Время задержки включения | td(on) | — | 0.20 | — | мкс | | Время нарастания тока | tr | — | 0.35 | — | мкс | | Время задержки выключения | td(off) | — | 1.5 | — | мкс | | Время спада тока | tf | — | 0.30 | — | мкс | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | — | — | 1.25 | °C/Вт | | Тепловое сопротивление переход-среда | Rth(j-a) | — | — | 62.5 | °C/Вт |

Особенности:

• Логический уровень управления (Vge = 5 В достаточно для полного открытия)
• Быстрое переключение
• Встроенный защитный диод между коллектором и эмиттером (в некоторых версиях)
• Высокая стойкость к лавинному пробою
• Соответствие RoHS (в новых партиях)

Парт-номера (Part Numbers)

• NGB8202NT4 — базовый парт-номер (TO-220, без фланца изоляции, лента/катушка)
• NGB8202NT4G — версия с суффиксом "G" (RoHS-совместимая, без свинца)
• NGB8202NT — вариант без суффикса T4 (поставка в тубах)
• NGB8202NTG — RoHS-версия в тубах

Примечание: Суффикс T4 обозначает тип упаковки — лента и катушка (tape & reel). Суффикс G — соответствие директиве RoHS (не содержит свинца).

Совместимые и аналогичные модели

Полные функциональные аналоги (IGBT, 600 В, ~20 А, логический уровень):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | ON Semiconductor | NGB8202N | Базовая версия | | ON Semiconductor | NGB8203N | Близкий аналог (другой ток) | | STMicroelectronics | STGP20NC60V | 600 В, 20 А, IGBT | | STMicroelectronics | STGP20NB60H | 600 В, 20 А | | Infineon | IKP20N60T | 600 В, 20 А (IGBT) | | Infineon | IKW20N60T | 600 В, 20 А | | IR (Infineon) | IRG4BC20U | 600 В, 16 А, логический уровень | | IR (Infineon) | IRG4BC20KD | 600 В, 16 А | | Fuji Electric | FGA20N60 | 600 В, 20 А | | Fairchild (ON) | FGA20N60UFD | 600 В, 20 А | | Toshiba | GT20J321 | 600 В, 20 А |

Совместимые (заменяемые) по параметрам MOSFET/IGBT:

• HGTG20N60A4 (Fairchild/ON) — 600 В, 20 А IGBT
• IXGH20N60 (IXYS) — 600 В, 20 А
• APT20GN60B (Microsemi) — 600 В, 20 А
• SGW20N60 (Infineon) — 600 В, 20 А

⚠️ Важно: При замене обязательно проверяйте:

• Напряжение Vces (не ниже 600 В)
• Рабочий ток (не меньше)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rth, Vce(sat))
• Тип корпуса (TO-220)
• Пороговое напряжение затвора (для прямоого управления от логики 5 В)

Применение в схемах

Типовая схема включения IGBT:

• Резистор затвора: 10–100 Ом
• Резистор затвор-эмиттер: 10–100 кОм (для снятия заряда и защиты от ложного включения)
• Защитный диод параллельно нагрузке (для индуктивной нагрузки)
• Снабберная RC-цепь для защиты от выбросов напряжения

Если необходимо — могу дополнить схемой включения, расчётом теплоотвода или подбором аналога по конкретным параметрам.