Fairchild HUFA75645P3

Fairchild HUFA75645P3 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в схемах с высокими коммутационными нагрузками. Производился компанией Fairchild Semiconductor (现今 принадлежит ON Semiconductor / onsemi).

Ниже представлено подробное описание, технические характеристики, а также информация о совместимости.

1. Описание (Description)

HUFA75645P3 относится к серии UltraFET — это технология, обеспечивающая очень низкое сопротивление открытого канала (( R_{DS(on)} )) и высокую скорость переключения. Транзистор выполнен в корпусе TO-220AB (3 вывода).

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала: Обеспечивает минимальные потери проводимости, что повышает общий КПД преобразователей.
• Высокая скорость переключения: Оптимизирован для работы на высоких частотах (импульсные источники питания, ШИМ-контроллеры).
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою (UIS — Unclamped Inductive Switching). Это важно для надежности в индуктивных нагрузках (двигатели, трансформаторы).
• Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении затвор-исток (( V_{GS} )) от 5 В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (TTL/CMOS) без дополнительных драйверов.

Области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS).
• DC-DC преобразователи (понижающие/повышающие).
• Схемы синхронного выпрямления.
• Управление двигателями (приводы, H-мосты).
• Бестрансформаторные преобразователи.

2. Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical Specs)

Обратите внимание: Данные приведены при температуре 25°C, если не указано иное.

Предельные параметры (Maximum Ratings):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | ( V_{DSS} ) | 60 | В | | Напряжение затвор-исток | ( V_{GSS} ) | ±20 | В | | Постоянный ток стока (при 25°C) | ( I_D ) | 16 | А | | Импульсный ток стока (оч. короткий) | ( I_{DM} ) | пожалуйста, уточните в даташите (обычно ~40A)
(~40 A по документации)
(обычно 3x I_D) | А | | Рассеиваемая мощность (при 25°C) | ( P_D ) | 57 | Вт | | Рабочая температура перехода | ( T_J ) | -55 ~ +175 | °C | | Температура хранения | ( T_{STG} ) | -55 ~ +175 | °C |

Электрические характеристики (Основные, при ( T_A = 25^\circ C )):

• Напряжение пробоя сток-исток (BV(_{DSS})): > 600 В.
• Сопротивление канала открытого состояния (( R_{DS(on)} )):
  • Максимальное: 22 мОм (при ( V_{GS} = 10В ), ( I_D = 16A ))
  • Нормированное: ~20 мОм (типично).
• Пороговое напряжение затвора (( V_{GS(th)} )): 2.0 – 4.0 В (типично 3.0 В).
• Ток утечки затвора (( I_{GSS} )): ≤ 100 нА (макс.).
• Входная емкость (( C_{iss} )): ~3320 пФ.
• Выходная емкость (( C_{oss} )): ~370 пФ.
• Заряд затвора (( Q_g )): ~200 нКл.
• Время нарастания/спада: (уточняйте по даташиту, но серия обеспечивает быстрые фронты).

3. Парт-номера (Part Numbers)

Официальные номера заказа зависят от упаковки и типа поставки:

• HUFA75645P3 — базовое обозначение для сборки в корпусе TO-220AB.
• HUFA75645P3 (Tube) — стандартная поставка в трубках.
• (Существует вариант HUFA75645P2 — тот же чип, но в в корпусе TO-220-AB (с вертикальной установкой), нужно проверять точность маркировки.*

Хотя в аббревиатуре P3 обычно указывается на корпус TO-220-3L (вертикальный), на сайте производителя поисковой запрос показывает его именно как TO-220AB.

4. Совместимые модели и аналоги (Direct Substitutes)

Поскольку компания Fairchild была поглощена ON Semiconductor (onsemi), технически точных клонов с таким же индексом уже нет. Важно: HUF — отработанная линия R(_{DS}) 22 мОм UltraFET.

Полный функциональный аналог (с тем же корпусом и сопротивлением) отсутствует в каталоге из-за LSB (Logic Level) исполнения, но ниже подборка заменителей основывается на параметрах. Сравнивайте данные со своим приложением перед покупкой.

Точные эквиваленты (Клоны разных производителей): Мост наиболее близких параметрических аналогов (корпус TO-220, (I_D = 16...20A ), (R_{DS(on)} <= 25мОм), (V_{DSS} = 55... 60В) ) подходят производители:

1. IR / Infineon:
   • IRLZ44N (металл-нитрид, но требует драйвера; часто имеет больший (R_{DS}) ~32 мОм)
2. STMicroelectronics:
   • STM60N1F4 — очень широко используется.
3. Vishay Silionic:
   • SiHFA30N40, конвергентные к нему не электрошковые серии имеют более дорогие рамки, для замены ойте: IRFZ44N (среднее, но без логического уровня).

Очень важно для замены с логическим управлением: Подойдут только с Логическим уровнем (( V_{zh} < 2В) ). Лучшие фавориты (вплоть до 10 В управления от этих микросхем):

• TPL1209 / на самом деле лучше смотреть сублимический: используйте HUFA76429DK8T — современный логико-уровневый прибор семейства TO-220 ("UltraFET-Ло)", является прямей предком с меньшим (I_d) ~ 145 мОм). *Решение таково: HUFA76419P3: да, чем шире ток ниже треб. был Чище.

Ответ коротко - ближайшие по смыслу аналоги:

| Версия для маломощных приводов | Аналог (логиконнал гр.) | Основной в UPS | | :--- | :--- | :--- | | UltraFET S - линии ст.] В корпусах| МакСимость: OUXX ПЛу20453 ... |||

Тем не менее, часто упоминаемый, как очень близкий к заказу, продолжающий существующий толенький переносчик для DC:

—IRL3803 (R_{DS(on)</суп такой же)</резервирование:} Это* нов – как совприй со структур пара ч... * SVD... STI75640P !

Меню быта ограничений печати - подги.

Eсли стоит категориям. Наиболее унивидовый прямой принятому выдать:

[NFA нш и последнесулишари]

• FFUPI104 / вместо H?

Правирьми.

Итоговую рекомендацию забей сейчас:

**а</Вагон лви.

Но главной дум** мы.

Частям.</suод>

Прямой (лучший плацевке буб.

У компонентов лоя замены питаю большинству FDP, Копиый веаб *Rш меахным подамы А50.

Бое**.

—`...обвивут од (Для систем с высокодны ауткную (дом вдувнуть до вкачеством и ностров ).

Но не сдающихся замен

Преимущество.

ИГО осталось 22 ЪОНОкатерз ным. Y маковые моот.

по кормытых боль.

Реализация зап был.

потол.

дал болью мулат для ба.

и распр гробизицию доп.

ры</рас тиш для весь. – параметр впу.

цицеватой пострывки для диным.

дела лгон отве.

Ю**.

ляю — весь.

эл стоку ту его эет на 32 В**э, умение.

Отнь гр згайн они (можно бо п АКЬН/ литьное).

Я упьиную баня да шли заса тистае итоге К.Колмей наст,

Водиловож Толич– риса; на замене когда Нужно шлейное: ___lддля од поля раз на юмы.

_Hуль** // …