Fairchild HGTG11N120CND

Вот подробное описание, технические характеристики и данные о совместимости для транзистора Fairchild HGTG11N120CND.

📋 Описание

HGTG11N120CND — это высоковольтный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с антипараллельным диодом (Co-pack), произведенный компанией Fairchild Semiconductor (ныне подразделение ON Semiconductor).

Прибор предназначен для работы в схемах с жесткой коммутацией (hard-switching) и высокой частотой. Благодаря встроенному диоду (Hyperfast Recovery Diode), он идеально подходит для инверторных схем, где требуется эффективное подавление обратных токов. Технология NPT (Non-Punch Through) обеспечивает положительный температурный коэффициент, что упрощает параллельное включение нескольких транзисторов для увеличения токовой нагрузки.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение пробоя: 1200 В.
• Встроенный ультрабыстрый диод.
• Низкие потери при переключении.
• Положительный температурный коэффициент насыщения.
• Корпус TO-247 (изолированный монтаж возможен через прокладку).

⚡ Технические характеристики

| Параметр | Значение | Ед. изм. | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип прибора | IGBT с диодом (Co-pack) | — | N-канал, NPT технология | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 | В | Максимальное | | Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | ±20 | В | Максимальное | | Ток коллектора (Ic) при Tc = 25°C | 22 | А | | | Ток коллектора (Ic) при Tc = 100°C | 11 | А | | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 44 | А | Длительность 1 мс | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 3.0 (typ), 4.0 (max) | В | При Ic = 11А, Vge = 15В | | Мощность рассеяния (Pd) при Tc = 25°C | 100 | Вт | | | Время задержки включения (td(on)) | 22 | нс | Индуктивная нагрузка | | Время нарастания (tr) | 80 | нс | | | Время задержки выключения (td(off)) | 240 | нс | | | Время спада (tf) | 120 | нс | | | Заряд затвора (Qg) | 80 | нКл | Типичное значение | | Входная емкость (Cies) | 1400 | пФ | Vce = 25В | | Тепловое сопротивление (Rthjc) | 1.0 | °C/Вт | Кристалл-корпус | | Рабочая температура (Tj) | -55 ... +150 | °C | | | Корпус | TO-247 (предположительно TO-247AB) | — | 3 вывода |

🔢 Парт-номера (Ordering Info)

Основной парт-номер (Part Number) обычно совпадает с маркировкой на корпусе, но может иметь суффиксы в зависимости от упаковки:

• HGTG11N120CND (основное обозначение)
• Маркировка на корпусе: G11N120CND
• Возможные варианты упаковки: Tube (туба), Rail.

Примечание: Так как Fairchild был поглощен ON Semiconductor, актуальные складские позиции могут иметь префикс ON или быть заменены на аналогичные приборы от ON Semi (например, серия FGL или NGTB).

🔄 Совместимые модели и аналоги

При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса (TO-247) и наличие встроенного диода.

Прямые аналоги (Pin-to-Pin, 1200В, ~20А, TO-247, с диодом):

1. IRG4PC40UD (International Rectifier / Infineon) — очень близкий аналог, 1200В, 20А, ультрабыстрый диод.
2. IRG4PC30UD — 1200В, 15А (менее мощный, но совместим).
3. STGW20NC60VD (STMicroelectronics) — 600В (не подходит по напряжению, но конструктивно схож). Обратите внимание на версии на 1200В: STGW15H120DF2 или STGW30NC120HD.
4. IXGH20N120 (IXYS/Littelfuse) — серия с диодом, 1200В.
5. NGTB20N120IHLWG (ON Semiconductor) — современная замена от правопреемника Fairchild.
6. FGL40N120AND (Fairchild/ON) — 1200В, 40А (более мощный, но может использоваться как замена с лучшими характеристиками).
7. SIGC11T120 (Infineon) — 1200В, 12А.

Совместимые модели (оборудование/устройства): Данный транзистор часто встречается в:

• Сварочных инверторах (сварочные аппараты).
• Импульсных блоках питания (SMPS) высокой мощности.
• Приводах электродвигателей (частотные преобразователи).
• Источниках бесперебойного питания (UPS).
• Схемах индукционного нагрева.

Важное предупреждение: При замене обязательно проверяйте:

1. Наличие диода (если в схеме используется антипараллельный диод, нельзя ставить транзистор без него, например IRG4PC40W без суффикса "D").
2. Ток и напряжение (нельзя ставить менее мощный прибор).
3. Тип корпуса (TO-247 vs TO-247-3 vs TO-3P).
4. Скорость переключения (если схема чувствительна к EMI, слишком быстрый диод может вызвать ringing).