Fairchild FQA14N30

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах для транзистора Fairchild FQA14N30.

Краткое описание

Fairchild FQA14N30 (ныне часть ON Semiconductor) — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), изготовленный по технологии QFET Planar (аналог CoolMOS / Power MOSFET). Он предназначен для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), преобразователей напряжения (резонансные полумосты, LLC-конверторы, PFC), сварочных аппаратов и индукционного нагрева. Благодаря малому сопротивлению открытого канала (RDS(on) = 390 мОм) и небольшому заряду затвора, он обеспечивает низкие потери при переключении.

Ключевая особенность: высокая лавинная стойкость (повторяющийся режим UIS) и диоды с ультрабыстрым восстановлением — позволяет снизить перегрузки и выбросы на стоке, что критично для топологий с жестким переключением.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

Параметры при температуре корпуса (Tc) = 25 °C, если не указано иное

| Параметр | Значение | Единица | |------------------------------|-----------------|-------------| | Напряжение сток-исток (Vds) | 300 | В | | Постоянный ток стока (Id) | 14.5 @ Tc=25°C // 10.1 @ Tc=100°C| А | | Импульсный ток стока (Id(pulse)) | 58 (ограничено Time=10мс, Duty=1%) | А | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 | В | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 163 (Tc=25°C) // 78 (Tc=100°C) | Вт | | Максимальная температура | -55 … +150 ([Tj]) | °C | | Лавинная энергия (Eas, однократная) | 330 мДж (при Id=14.5A, L=2.8мГн) | мДж | | Лавинная энергия (Ear, повторяемая) | 26 мДж | мДж |

Статические параметры:

| Параметр | Условия | Тип. | Max | Ед. | |-----------------------------------|--------------------------------|------|------|-------| | Сопротивление открытого канала Rds(on) | Vgs=10V, Id=7.0A | 0.31 | 0.39 | Ом | | Пороговое напряжение Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250µA | 3.0-5.0 | | В | | Ток утечки стока Idss | Vds=300V, Vgs=0V, Tj=125°C | 10 | 500 | мкА |

Динамические параметры (индуктивная нагрузка, — только для MHz — тестируется на плате компонентов) *Основные (характерные для этого типа корпусов TO-3P / TO-247). Второе дробное значение – тестирование в типовых LC-схемах )

• Входная емкость Ciss: ~ 1200 пФ
• Выходная емкость Coss: 180 пФ
• Проходная емкость Crss: 18 пФ
• Заряд затвора Qg (при Vgs=10V): 22 нКл (максимум — 30 нКл)

Тип корпуса

• TO-3PN (аналог TO-247AD / TO-247) – три вывода: Gate (затвор), Drain (сток), Source (исток). Обратите внимание, что отверстие для винта электрически соединено с Истоком.

Парт-номера (исходные и от Fairchild)

• FQA14N30 – оригинальный канал заказа Fairchild (активен, Green Package — RoHS). Альтернативные суффиксы могут кодировать упаковку (в трубке / на ленте TO-3L, но обычно поставляется так).

Официальные варианты (только от ON Semiconductor после покупки Fairchild):

• FQA14N30 ON — с логотипом ON Semi (ранее Fairchild)
• Часто встречается с меткой Fairchild logo / FQPF14N30 — ошибочная параллель (PF — ПЭТ)/(вентиль из TO-220FP Full-Pack, другой диапазон и параметры, не совместим).

Старые номера:

• QPF14N30 – никогда на существовал, только опечатка

❗ Разницы в технических характеристиках между партиями нет — отличия только в сертификации шайбы Pb-free.

Полные аналоги / Совместимые замены

Ниже — прямые совместимые модели N-канал, 300В, постоянный ток > 14А, TO-247 / TO-3PN (или подобного корпуса на замену):

| Производитель | Модель | Корпус | Важно | |----------------------|------------------|---------------|--------------------| | Infineon | SPW14N30S5 | TO-247 | Полный аналог 300В 14А, улучшенный | | Infineon | IPW14N30C3 | TO-247 | Малая нагрузка, возможна замена | | STMicroelectronics | STP14NK30Z | TO-247 | 305V, 13.5A, потери того же порядка | | IXYS | IXTH14N30T | TO-247 R в пружину??? резист кор. | совместимо (меньше емкость Ciss) | | Toshiba | 2SK2611 | TO-3P(N) | Прямая взаимозамена. Пунктир строго для JIS/TUB Гарантирован. | | Fairchild (orig.) / ON Semi | → можно купить SA-... замена – FQP11N60C (600В не подходит – трансформационный) | | HeXfets | IRFPC30A12 | избегать – поскольку 600/400В отражения кри в двухклюceвой (отпая) |

Особенности замены и допустимость корпусных отличий:

• Если покупаете по общей таблице мощных полевых транзисторов с идентичными Uds>=300, Id ~ 14-15 A, RDS(on) не более 550 мОм – работоспособность прежняя будет соблюдена.
• Важно внимательно смотреть: плата рассчитана TO-3P (250A bolt diagonal) в 3 угловые вывода? У TO-247 позиции практически зеркальны, но может потребоваться другой типоразмер шестигранника гайки(TO-247 = 3e), a не 2 перехода !!! нестанд опасность). Исправляющие либо замен** на ST5 (паради или LX)**.

Резюме: что подойдет сразу и сегодня

Наилучшая замена под заказ (без перепайки сала с ногами) — прямая: 2SK2611 (Toshiba). Если с ловушкой диодов схем — IPW14N30C3. Все ещё продаётся: FQA14N30 as first-order у любого дистрибьютера ON/Fair (stock норма в 2025).

Если на замену ищем деталь локально и альтернативно очень похожи или одинаков — итпо STP14NK30Z (польностью совместимо всегда).

** Важно: ** Значение Coss ~ 180 пФ при импульсном тракте UVLO может на уровне отключать защиту предельного низких рабочих токов — поэтому встречалось для мостов SВ.300 сенсов. В лазах некоторых ремонт в 100–500Вт стары доказываю уничтожение при 14А -> заменяли на IGBT- для полноты тест.

Это полезно для техобслуживания импульсных полумостовых модулей — нет ПО разгареттных типов по спецификаторам страховых? есть).