Fairchild FDB12N50TM — N-Channel MOSFET (UniFET™)

Описание

FDB12N50TM — высоковольтный N-канальный MOSFET производства компании Fairchild Semiconductor (ныне — подразделение ON Semiconductor / onsemi), семейство UniFET™. Транзистор выполнен по технологии DMOS и предназначен для работы в импульсных источниках питания, цепях коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторах, преобразователях постоянного/переменного тока.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток 500 В
• Ток стока до 12 А (при Tc = 25 °C)
• Низкое сопротивление открытого канала RDS(on) = 0.43 Ом (max)
• Быстрое переключение и низкий заряд затвора (благодаря технологии UniFET)
• Корпус TO-220F (изолированный фланг)
• RoHS-совместимый

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

Абсолютные максимальные значения:

| Параметр | Значение | Ед. | |---|---|---| | VDSS (напряжение сток-исток) | 500 | В | | VGSS (напряжение затвор-исток, ±) | ±30 | В | | ID (ток стока, непрерывный, Tc=25°C) | 12 | А | | ID (импульсный ток) | 48 | А | | PD (рассеиваемая мощность, Tc=25°C) | 165 | Вт | | Tj (макс. температура перехода) | 150 | °C | | Tstg (температура хранения) | −55…+150 | °C |

Основные параметры:

| Параметр | Значение (тип./макс.) | Условия | |---|---|---| | V(BR)DSS | 500 В | VGS=0, ID=250 µA | | RDS(on) | 0.38 / 0.43 Ом | VGS=10 В, ID=6 А | | VGS(th) | 3.0…5.0 В | VDS=VGS, ID=250 µA | | Qg (полный заряд затвора) | ~25 нКл | VDD=~250 В, VGS=10 В, ID=12 А | | Qgs | ~6 нКл | — | | Qgd | ~10 нКл | — | | Ciss (вх. ёмкость) | ~1500 пФ | VDS=25 В, f=1 МГц | | Coss | ~200 пФ | — | | Crss | ~15 пФ | — | | td(on) / tr | ~25 нс / 65 нс | — | | td(off) / tf | ~90 нс / 65 нс | — | | Rθjc (тепловое сопр. переход-корпус) | 0.76 °C/Вт | — | | Rθja | 62 °C/Вт | — |

Корпус: TO-220F (полностью изолированный)

Парт-номера / Ordering Information

Families/варианты:

• FDB12N50TM — базовое исполнение, TO-220F, в ленте (tape & reel / tube)
• FDB12N50 — та же микросхема в тубах (без суффикса «TM»)
• FDP12N50 — вариант в корпусе TO-220 (не изолированный) — равноценная кристалл-микросхема, другое исполнение
• FQPF12N50C, FQPF12N50, FKP12N50 — варианты той же кристальной структуры в разных классах качества/исполнения (проверить конкретную серию)
• HUF75639 и др. — исторические аналоги более поздних поколений

Примечание: точный suffix (-TM = закупе в трафаретный барьер, tube), может незначительно отличаться в зависимости от упаковки.

Совместимые / аналогичные модели

Прямые аналоги/замены (N-MOS, 500В, ~12А, TO-220F):

• FDP12N50 / FDPF12N50NZ (Fairchild/onsemi)
• FQPF12N50C / FQPF12N50 (Fairchild QFET™)
• SPP12N50C3 / SPA12N50C3 (Infineon CoolMOS)
• STP12NM50 / STP12NM50FP (STMicroelectronics)
• IRFB12N50A / IRFI12N50A (International Rectifier)
• IXTP12N50P (IXYS)
• 2SK3569, 2SK3872 (Toshiba)
• SSS12N50, SSS12N60 (AOS)
• R5012CNX (Rohm)

По параметрам (500–600 В, ID 10–15 А, RDS on ≤ 0.5 Ом):

• FQAF12N50C, FQA12N50C
• CoolMOS серии IPA50R350 / IPW60R385
• ON Semi FQPF12N60L / FDA12N50

Совместимое применение: товар проходил в блоках питания ATX, балластах для люминесцентных ламп, преобразователях DC-DC, блоках PFC, сварочных инверторах, драйверах ШИМ.

Если вам нужно — могу подобрать прямую pin-to-pin замену с запасом по параметрам с указанием поставки (Mouser / Digi-Key / LCSC) и дать datasheet-числа рядом в таблице.