Mitsubishi H3BAN8H

Mitsubishi H3BAN8H – Описание и технические характеристики

Описание

Mitsubishi H3BAN8H – это высоковольтный IGBT-модуль, используемый в силовой электронике, промышленных приводах, инверторах и других мощных преобразовательных системах. Модуль отличается высокой надежностью, эффективным охлаждением и низкими потерями при переключении.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Конфигурация | Двухканальный (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Корпус | Изолированный (подходит для радиатора) |
| Тип монтажа | Винтовой |

Совместимые модели и аналоги

• Прямые аналоги:

  • Mitsubishi CM75DY-12H (похожие характеристики)
  • Fuji 2MBI75N-120
  • Infineon FF75R12KT3

• Совместимые модели Mitsubishi:

  • H3BAN8H (оригинальный номер)
  • H3BAN8H-XXX (модификации с дополнительными индексами)

Парт-номера и альтернативные обозначения

• Каталожный номер производителя: H3BAN8H
• Коды поставщиков:
  • Digi-Key: (уточняется по базе)
  • Mouser: (уточняется по базе)
  • Производитель: Mitsubishi Electric (позже часть продукции перешла под бренд Renesas)

Применение

• Промышленные инверторы
• Приводы электродвигателей
• Системы плавного пуска
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется проверять datasheet, так как существуют версии с разными параметрами управления затвором и тепловыми характеристиками.

Если вам нужен точный аналог или замена, уточните требования к вашему оборудованию.