Infineon TTB6C135N18

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon TTB6C135N18.

Описание

Infineon TTB6C135N18 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 6. Это высоковольтный компонент, предназначенный для использования в мощных и высокоэффективных импульсных источниках питания, промышленных приводах, системах солнечной энергетики и электромобильности.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокое напряжение: Рассчитан на работу с напряжением сток-исток до 600 В, что делает его подходящим для сетевых приложений (380В/400В).
• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Очень низкое значение сопротивления (всего 13.5 мОм при 10 В на затворе) обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД системы.
• Технология OptiMOS 6: Последнее поколение MOSFET от Infineon, которое предлагает улучшенное соотношение "цена/производительность", лучшие динамические характеристики и повышенную надежность по сравнению с предыдущими поколениями.
• Высокая стойкость к импульсным перенапряжениям (UIS): Обладает отличной способностью выдерживать кратковременные импульсы напряжения, что повышает надежность устройства в реальных условиях эксплуатации.
• Низкий заряд затвора (Q G): Позволяет использовать более простые и дешевые драйверы затвора, так как требуется меньший ток для быстрого переключения.
• Корпус TO-263-3 (D2PAK): Надежный и популярный корпус для монтажа на поверхность (SMD), предназначенный для рассеивания значительной мощности и удобства автоматизированной сборки.

Основное назначение: Эффективное и быстрое переключение высоких токов и напряжений в мощных преобразователях энергии.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | - | | Технология | OptiMOS 6 | - | | Напряжение "Сток-Исток" (V DS) | 600 В | - | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 13.5 мОм (макс.) | V GS = 10 В, I D = 36 А | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 17.5 мОм (макс.) | V GS = 4.5 В, I D = 25 А | | Постоянный ток стока (I D) | 72 А | при T C = 25°C | | Постоянный ток стока (I D) | 47 А | при T C = 100°C | | Импульсный ток стока (I DM) | 280 А | - | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.9 - 4.2 В | V DS = V GS, I D = 250 мкА | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (V GS) | ± 20 В | - | | Заряд затвора (Q G (тип.)) | 185 нКл | V GS = 10 В | | Общий заряд (Q rr (тип.)) | 3.1 мкКл | - | | Время включения (t on) | 42 нс (тип.) | - | | Время выключения (t off) | 95 нс (тип.) | - | | Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | - | | Степень защиты | Неизолированный сток | - | | Температура хранения/p-n перехода | от -55 до +150 °C | - |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же физического компонента может быть несколько парт-номеров. Они обозначают один и тот же кристалл в одном и том же корпусе.

• TTB6C135N18 — Основной порядковый номер (SPN).
• TTB6C135N18XKSA1 — Скорее всего, полный номер заказа, который может включать в себя информацию о упаковке (например, на катушке или в лотке). Электрически идентичен основному номеру.

Совместимые модели и прямые аналоги

При поиске аналога или замены важно сравнивать ключевые параметры: V DS, R DS(on), I D, корпус и заряд затвора.

Прямые аналоги от других производителей (с максимально близкими параметрами):

• STMicroelectronics: Модели из серии STWxxN65M6 (например, STW75N65M6, но с напряжением 650В) или серии SDMOS. Требуется проверка по даташиту на соответствие Rds(on) и тока.
• ON Semiconductor (ныне часть of onsemi): Модели из серии NVGTx или FDPF. Например, FDPF51N50T (500В, 15.5 мОм). Требуется тщательный подбор.
• Toshiba: Модели из серии TKxxU60W1 (например, TK90U60W1, но с другими параметрами). Нужно сверяться с даташитом.

Важно: Полного 100% аналога от другого производителя с идентичными характеристиками может не существовать. Infineon OptiMOS 6 является ведущей технологией на рынке.

Совместимые по применению модели (из той же серии OptiMOS 6):

Для проектирования можно рассматривать другие компоненты из линейки OptiMOS 6 с близкими параметрами, которые могут лучше подойти по цене или характеристикам для конкретной задачи:

• Infineon IPT60R135G8 (600 В, 13.5 мОм, TO-247) — аналог в другом корпусе.
• Infineon IPW60R135P8 (600 В, 13.5 мОм, TO-247 Plus) — аналог в другом корпусе.
• Infineon TTB7C135N18 — возможна новая ревизия или версия с улучшенными параметрами.
• Другие транзисторы из серии OptiMOS 6 с напряжением 600В и близким значением Rds(on), такие как TTB6CxxxN18, где xxx — это значение Rds(on) в миллиомах.

Рекомендация: При замене всегда тщательно сверяйтесь с официальными техническими описаниями (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога, уделяя внимание не только статическим, но и динамическим характеристикам (переключение, заряды, паразитные емкости).