Infineon SPW17N80C3

Отличный выбор! SPW17N80C3 — это высоковольтный MOSFET-транзистор от Infineon, известный своим качеством и надежностью. Вот подробное описание и вся ключевая информация о нем.

Описание и основные особенности

Infineon SPW17N80C3 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Это третье поколение знаменитой линейки высоковольных MOSFET, которое стало отраслевым стандартом для импульсных источников питания.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS C3:

• Высокая эффективность: Значительно сниженное динамическое сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) приводит к меньшим потерям на проводимость.
• Улучшенные динамические характеристики: Оптимизированные емкости и заряд затвора (Q g) позволяют работать на более высоких частотах переключения с меньшими коммутационными потерями.
• Высокая надежность: Технология обеспечивает отличный баланс между эффективностью, стоимостью и надежностью, что критически важно для силовой электроники.
• Высокое напряжение сток-исток: 800В с хорошим запасом по напряжению для работы в сетях 220/380В.

Основная сфера применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно для ПК, серверов, бытовой техники.
• PFC-каскады (корректоры коэффициента мощности).
• Преобразователи для освещения (LED-драйверы, балласты).
• Промышленные преобразователи энергии.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | Infineon CoolMOS™ C3 | | | Корпус | TO-247 | Классический мощный корпус с отверстием для крепления радиатора. | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 800 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (I D) | 17 А (при 25°C) | Непрерывный ток в открытом состоянии. | | | 8.5 А (при 100°C) | С падением максимального тока при нагреве. | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 0.28 Ом (макс.) при V GS = 10 В | Ключевой параметр для потерь на проводимость. Чем меньше, тем лучше. | | Заряд затвора (Q g (тип.)) | 45 нКл | Влияет на скорость переключения и потери на управление. | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P tot) | 300 Вт | При идеальных условиях охлаждения (температура корпуса 25°C). |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же чип выпускается в разных корпусах. Для SPW17N80C3 основная модификация — в корпусе TO-247.

• SPW17N80C3 – Полное и основное наименование.
• SPW17N80C3FKSA1 – Возможно, расширенный парт-номер с указанием на упаковку (катушка/лоток). В спецификациях часто фигурирует именно основное название.

Совместимые модели и аналоги (прямые и функциональные замены)

Важно: При замене всегда проверяйте распиновку (pinout), характеристики в вашей конкретной схеме (особенно по токам и потерям) и качество монтажа.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

• SPW20N80C3 – Ближайший аналог с чуть большим током (20А) и таким же Rds(on). Часто взаимозаменяем.
• SPW15N80C3 – Аналог с чуть меньшим током (15А).
• IPP17N80C3 – Очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог! Та же технология C3, те же 17А/800В, но в корпусе TO-220 (менее мощный корпус). Подходит, если по току и нагреву хватает TO-220.
• IPW17N80C3 – Аналог в корпусе TO-247 без изолирующей пластины (Isolated Tab). Внимание на крепление к радиатору!
• Любые MOSFET серии CoolMOS C3 с напряжением 800В и близким током (например, 11N80C3, 20N80C3, 24N80C3) — требуется пересчет потерь мощности.

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

Здесь нужно смотреть на V DSS=800-850В, I D ~17А, R DS(on) ~0.25-0.35 Ом, корпус TO-247.

• STMicroelectronics:
  • STW17N80K5 (модель из серии MDmesh™ K5, аналог по классу)
  • STP17N80K5 (TO-220)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP17N80 (серия SuperFET®)
  • FCP17N80F (с быстрым диодом)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP17N80-18 (серия EpiFET)
• Toshiba:
  • TK17N80W5 (серия U-MOS V)

Что важно при замене:

1. Корпус: TO-247, TO-220, TO-3P имеют разные размеры и возможности охлаждения.
2. Ключевые параметры: V DSS (должен быть не меньше), I D (желательно не меньше), R DS(on) (желательно не больше), Q g (влияет на драйвер).
3. Распиновка (Pinout): У большинства TO-247/TO-220 стандартная: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток. Но лучше проверить в даташите.
4. Наличие встроенного диода: У всех современных MOSFET он есть (как у SPW17N80C3).

Рекомендация: Для наиболее точного подбора аналога используйте параметрический поиск на сайтах производителей (Infineon, ST, ON Semi) или в агрегаторах электронных компонентов (например, Octopart, LCSC). Всегда изучайте даташит (datasheet) конкретной модели перед заменой.