Infineon SPA08N80C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPA08N80C3.

Общее описание

SPA08N80C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания.

Его основное назначение — работа в качестве силового ключа в схемах, где критически важны:

• Высокий КПД: Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и отличным динамическим характеристикам.
• Надежность: Технология C3 обеспечивает высокую устойчивость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness) и широкую область безопасной работы (SOA).
• Упрощение схемотехники: Встроенный быстрый выпрямительный диод (Body Diode) с хорошими характеристиками позволяет в некоторых случаях обойтись без внешнего диода.

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• DC-DC преобразователи.
• Инверторы и драйверы для освещения.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условие измерения | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | Технология CoolMOS™ C3 | | Корпус | TO-220 | Классический корпус для монтажа на радиатор | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый, открывается положительным напряжением на затворе |

| Предельные электрические характеристики (Absolute Maximum Ratings) | | | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 800 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 7.8 А | | | Ток стока импульсный (IDM) | 31 А | | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 156 Вт | На изолированном радиаторе при температуре корпуса 25°C | | Напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±30 В | Максимальное напряжение на затворе |

| Электрические характеристики (Typical / Max) | | | :--- | :--- | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. (RDS(on)) | 0.45 Ом (макс.) | Ключевой параметр. При VGS = 10 В, ID = 4 А. Чем меньше, тем меньше потери на проводимость. | | Заряд затвора (Qg) | 38 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Время включения (td(on) + tr) | 18 нс (тип.) | Быстрое переключение снижает коммутационные потери | | Время выключения (td(off) + tf) | 47 нс (тип.) | | | Встроенный диод: Прямое падение напряжения (VSD) | 1.4 В (тип.) | При IS = 7.8 А | | Встроенный диод: Время обратного восстановления (trr) | 150 нс (тип.) | Важно для работ в режиме коррекции коэффициента мощности (PFC) |

| Тепловые характеристики | | | :--- | :--- | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.8 °C/Вт | Показывает, насколько греется кристалл относительно корпуса | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Полное официальное наименование: SPA08N80C3

При заказе обычно используется именно эта маркировка. На корпусе транзистора лазером наносится сокращенная маркировка: PA08N80C3 или подобная.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры: напряжение 800В, ток ~8А, сопротивление RDS(on) и заряд затвора Qg.

1. От Infineon (технология CoolMOS C3):

• IPA08N80C3 — Тот же кристалл в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с улучшенной изоляцией).
• SPA07N80C3 — Близкий аналог с чуть меньшим током (7.2А) и немного большим RDS(on). Часто может использоваться в тех же схемах с небольшим запасом.
• SPA11N80C3 — Более мощный вариант из той же серии (ток 10.5А, RDS(on) ~0.38 Ом). Подходит для замены с запасом по току.

2. Аналоги от других производителей (сопоставимые по параметрам):

• STMicroelectronics: STP8N80K5 (серия MDmesh™ K5, 800В, 7.8А, RDS(on)=0.45 Ом). Один из самых популярных и доступных прямых аналогов.
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP8N80 (серия SuperFET®, 800В, 8А, RDS(on)=0.55 Ом).
• Power Integration (в составе их систем-в-корпусе, но как дискретный компонент): Аналоги не производятся, но часто используются в их референс-схемах.
• Vishay / Siliconix: SUP8N80-18 (800В, 8А, RDS(on)=0.55 Ом).

3. Важная заметка по совместимости:

• CoolMOS C3 vs. CP / CE / CFx: Внутри линейки CoolMOS есть поколения CP, CE, C3, C7, CFD и др. C3 — это сбалансированное решение. Прямой заменой могут быть модели CE (более старое) или C7 (более новое, с лучшими показателями), но всегда нужно проверять разводку платы и динамические характеристики. Например, SPA08N80C7 обычно является улучшенной и более совместимой заменой.
• Перед заменой всегда рекомендуется:
  1. Сравнить datasheets по ключевым параметрам (RDS(on), Qg, VGS(th)).
  2. Убедиться в совпадении цоколевки (pinout), особенно при замене на аналог другого производителя (хотя для TO-220 она стандартна: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
  3. Проверить работу в конкретной схеме, особенно на максимальных нагрузках.

Вывод: Infineon SPA08N80C3 — это надежный и эффективный транзистор для построения мощных импульсных блоков питания. Его главные преимущества — технология CoolMOS™ C3, обеспечивающая высокую эффективность и устойчивость, а также наличие прямых аналогов от других крупных производителей, что упрощает поиск замены и снижает риски при производстве.