Infineon IRGP4760PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги IGBT-транзистора Infineon IRGP4760PBF.

Описание

Infineon IRGP4760PBF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный для применения в мощных силовых электронных устройствах. Он принадлежит к серии NPT (Non-Punch Through) IGBT 4-го поколения от Infineon, которая характеризуется:

• Высокой эффективностью: Оптимальный баланс между напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и временем выключения, что снижает коммутационные и проводящие потери.
• Плавной характеристикой выключения: Технология NPT обеспечивает более "мягкое" выключение по сравнению с PT-IGBT, что снижает уровень электромагнитных помех (EMI) и нагрузку на снабберные цепи.
• Широкой зоной безопасной работы (RBSOA): Высокая устойчивость к перенапряжениям при выключении, что повышает надежность системы.
• Встроенный быстрый антипараллельный диод: Позволяет эффективно проводить обратный ток в индуктивных нагрузках (например, в мостовых схемах инверторов).

Основные области применения:

• Силовые инверторы и частотные преобразователи (ПЧ)
• Сварочное оборудование
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Приводы электродвигателей большой мощности

Ключевые технические характеристики (Тх)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | Максимальное повторяющееся напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 25°C | 70 А | При T_c = 25°C | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 100°C | 35 А | При T_c = 100°C (более реалистичный параметр) | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 140 А | Максимальный пиковый ток | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) | 2.3 В (тип.) | I_C = 70А, V_GE = 15В | | Энергия включения | E_on | 5.5 мДж (тип.) | I_C = 70А, V_CC = 400В | | Энергия выключения | E_off | 3.0 мДж (тип.) | I_C = 70А, V_CC = 400В | | Заряд затвора | Q_g | 210 нКл (тип.) | Общий заряд для переключения | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.0 В (тип.) | I_C = 250мА, V_CE = 5В | | Макс. рабочая температура перехода | T_j | +150 °C | | | Корпус | - | TO-247 (также известен как TO-247AC) | С тремя выводами, изолированный монтажный фланец |

Характеристики встроенного обратного диода:

• Прямое напряжение диода (V_F): 2.0 В (тип.) при I_F = 70А
• Время восстановления обратного тока (t_rr): 120 нс (тип.)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (того же поколения и корпуса):

• IRGP4760D-EPBF – Тот же чип, но в корпусе TO-247 Plus (TO-247-3L Long Leads). Имеет более длинные выводы и часто лучший отвод тепла за счет большего фланца.
• IRGP4760DPBF – Предыдущая версия в корпусе TO-247 Plus (возможно, с небольшими отличиями в маркировке).
• Аналоги с другим током/напряжением в той же серии и корпусе: IRGP4650PBF (50А), IRGP4860PBF (80А), IRGP50B60PD1PBF (более новое поколение, 50А).

2. Совместимые / Функциональные аналоги от других производителей (Cross-Reference):

При поиске аналога необходимо сверять V_CES (600В), I_C (70А), корпус (TO-247) и наличие встроенного диода.

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FGH60N60SMD – Аналогичные параметры, современная серия.
  • HGTG30N60A4D (меньший ток, требуется проверка по току в конкретной схеме).
• STMicroelectronics:
  • STGW70H60DFB – IGBT 70А/600В со встроенным диодом в корпусе TO-247.
  • STGP70H60DFB – Аналогичный, в корпусе TO-220 (для меньшей мощности).
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH70N60BD1 – Мощный IGBT 70А/600В.
• Fuji Electric:
  • 2MBI70N-060 – Сборка из двух IGBT (полумост), но каждый канал 70А/600В.

3. Более современные аналоги (новые поколения IGBT/ SiC):

• Infineon IGBT7 / IGBT6: Для новых разработок рекомендуется рассматривать более новые серии (например, IKW75N60T), которые имеют меньшие потери.
• Кремниевые MOSFET: Для высокочастотных применений могут подходить мощные MOSFET на 600В (например, Infineon CoolMOS), но с другими особенностями управления.
• Карбид-кремниевые (SiC) MOSFET: Технология следующего поколения (например, Infineon CoolSiC™). Обеспечивают значительно более высокую частоту переключения и КПД, но имеют существенно более высокую стоимость. Прямой заменой по распиновке не являются — требуется изменение драйвера и схемы управления.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйте даташиты. Указанные аналоги являются функционально близкими, но могут отличаться динамическими характеристиками (заряд затвора, энергии переключения), что критично для работы драйвера и теплового режима.
2. Проверяйте распиновку (pinout). Хотя у TO-247 она стандартна (G-D-S/E), у некоторых аналогов от других производителей она может отличаться.
3. Учитывайте поколение технологии. Замена на более новое поколение обычно улучшает параметры, но обратная замена может потребовать пересчета потерь и системы охлаждения.
4. Ключевой параметр для замены — максимальный ток при температуре корпуса 100°C (I_C @ 100°C), а не при 25°C.

Данное описание и список аналогов служат для общего ознакомления и начального поиска. Для критичных применений обязателен анализ полных технических характеристик (datasheet) и условий работы в конкретной схеме.