Infineon IRFB4115PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFB4115PBF.

Описание

Infineon IRFB4115PBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, разработанный с использованием передовой технологии HEXFET. Этот транзистор принадлежит к семейству, оптимизированному для применения в силовых преобразовательных устройствах, где требуются высокий КПД, скорость переключения и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях с напряжением до 150 В, что делает его идеальным для мощных источников питания, промышленных контроллеров и автомобильных систем.
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Очень низкое значение RDS(on) (максимум 4.5 мОм при VGS=10 В) минимизирует проводимые потери и нагрев при коммутации больших токов, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии HEXFET транзистор обладает быстрым временем переключения, что снижает динамические потери.
• Высокая стоковая нагрузка: Способен коммутировать постоянный ток до 104 А (при температуре корпуса 25°C).
• Превосходная способность к лавинным пробоям: Устойчив к импульсным перенапряжениям и скачкам напряжения, что повышает надежность устройства в harsh-средах.
• Прямая пайка на печатную плату (Through-Hole): Выполнен в популярном и удобном для монтажа корпусе TO-220AB, обеспечивающем хороший теплоотвод.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и однотактные преобразователи
• Системы управления двигателями (например, в электромобилях, погрузчиках)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Высокоточные контроллеры освещения

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-Channel MOSFET | - | | Корпус | - | TO-220AB | Through-Hole | | Максимальное напряжение | V_DSS | 150 В | - | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 104 А | при T_c = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 390 А | - | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | R_DS(on) | макс. 4.5 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 62 А | | | | макс. 3.7 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 31 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 150 нКл | V_GS = 10 В, I_D = 62 А, V_DS = 125 В | | Время включения | t_d(on) | 19 нс | V_DD = 75 В, I_D = 62 А, R_G = 3.3 Ом | | Время выключения | t_d(off) | 65 нс | V_DD = 75 В, I_D = 62 А, R_G = 3.3 Ом | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_D | 330 Вт | при T_c = 25°C | | Диапазон температур p-n перехода | T_J | от -55 до +175 °C | - |

Парт-номера и совместимые модели (Alternatives / Cross-Reference)

Совместимые аналоги подбираются по ключевым параметрам: V_DSS ≥ 150V, I_D ≈ 100A, R_DS(on) ≈ 4-5 мОм и корпус TO-220.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IRFB4115GPBF — Аналогичная модель, возможны незначительные отличия в тестовых параметрах.
• IRFB4410PBF — Более высокое напряжение (100V) и чуть ниже Rds(on), может быть заменой в некоторых схемах на 100В.
• AUIRF4115PBF — Аналог от International Rectifier (который был поглощен Infineon), практически полный аналог.

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STP110N8F6 (80V, 100A, 3.5 мОм) — Мощнее по току и Rds(on), но ниже по напряжению. Подойдет для схем на 48-60В.
  • STP110N15F7 (150V, 80A, 9.5 мОм) — Сопоставимое напряжение, но ток ниже, а Rds(on) выше.

• Vishay / Siliconix:

  • SUD110N08-5 (80V, 110A, 5.2 мОм) — Аналогичный ток, но ниже напряжение.
  • SQJ4115 (150V, 104A, 4.5 мОм) — Очень близкий аналог в корпусе TO-247 (более мощном).

• ON Semiconductor:

  • FDP110N15 (150V, 110A, 9.0 мОм) — Напряжение и ток аналогичны, но Rds(on) значительно выше.
  • NTGD110N150S1 (150V, 110A, 8.5 мОм) — Аналогичная ситуация, Rds(on) выше.

• Toshiba:

  • TK110N15W (150V, 110A, 8.0 мОм) — Хороший аналог по току и напряжению, но с более высоким Rds(on).

Важное примечание по замене: Перед заменой IRFB4115PBF на аналог обязательно сверяйтесь с даташитом и обращайте внимание на ключевые параметры, особенно:

1. Напряжение V_DSS — должно быть не ниже, чем у оригинала.
2. Ток I_D — желательно не меньше.
3. Сопротивление R_DS(on) — чем оно ниже, тем меньше потерь, но это может влиять на динамические характеристики.
4. Заряд затвора (Q_g) — если у аналога заряд значительно выше, драйверу затвора может потребоваться большая выходная мощность для сохранения скорости переключения.
5. Корпус и цоколевка — должны быть идентичны (TO-220AB).