Infineon IRFB4110PBF

Конечно, вот подробное описание инфракрасного MOSFET транзистора Infineon IRFB4110PBF.

Описание

Infineon IRFB4110PBF — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Ключевыми преимуществами данной модели являются очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокая рабочая температура кристалла (до 175 °C). Это делает его идеальным решением для высокоэффективных и надежных силовых приложений, где важны минимальные потери на проводимость и хорошее управление температурным режимом.

Транзистор предназначен для коммутации больших токов в таких устройствах, как:

• Инверторы и моторные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления батареями (BMS)
• Автомобильные усилители класса D
• Сварочное оборудование

Корпус TO-220AB является классическим и удобным для монтажа как на печатную плату, так и на внешний теплоотвод с помощью винта.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET | - | | Технология | HEXFET | - | | Корпус | TO-220AB | - | | Макс. напряжение "сток-исток" (Vds) | 100 | В | | Макс. непрерывный ток стока (Id) при 25°C | 104 | А | | Макс. непрерывный ток стока (Id) при 100°C | 74 | А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) max. | 3.7 | мОм | | Условия для Rds(on): Vgs = 10 V, Id = 52 A | | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 | В | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 | В | | Общий заряд затвора (Qg) typ. | 150 | нКл | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 370 | Вт | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 до +175 | °C |

Ключевая особенность: Экстремально низкое значение Rds(on) (всего 3.7 мОм) обеспечивает очень высокий КПД и малое тепловыделение при коммутации больших токов.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот транзистор является частью большого семейства и имеет прямые аналоги и совместимые замены от других производителей. При замене всегда рекомендуется сверять даташиты, особенно обращая внимание на такие параметры, как заряд затвора (Qg) и внутренние емкости, если речь идет о высокочастотных схемах.

Прямые аналоги (Functional Equivalents / Cross-Reference):

• IRFB4110 (оригинальная часть от International Rectifier, до приобретения Infineon)
• IRFB4110GPBF (аналогичная модель, также от Infineon)
• STP110N10F7 (от STMicroelectronics) — очень близкий аналог по параметрам.
• FDP110N10 (от ON Semiconductor / Fairchild)
• IPP110N10N3G (от Infineon) — корпус TO-220 FullPAK (изолированный).
• AUIRFB4110 (от Infineon) — версия для автомобильных применений (AEC-Q101).
• RFP50N10 (от Renesas / Intersil) — также 100V, 50A, но с другим Rds(on).

Совместимые модели (схожие по ключевым параметрам):

При поиске замены можно рассматривать другие MOSFET с напряжением 100В и схожим или меньшим значением Rds(on). Например:

• IRFB4310PBF (100V, 84A, Rds(on) = 4.5 мОм) — чуть более высокое сопротивление.
• IRFB3207PBF (75V, 180A, Rds(on) = 2.3 мОм) — вариант, если достаточно меньшего напряжения, но нужен больший ток.
• IRFB33N15DPBF (150V, 33A, Rds(on) = 6.5 мОм) — вариант, если требуется большее напряжение, но допускается меньший ток.

Важное примечание: Несмотря на совместимость по выводам и общим характеристикам, всегда необходимо проводить полное сравнение даташитов, особенно в критичных по эффективности и тепловому режиму проектах.