Infineon IRFB4019PBF

Конечно, вот подробное описание MOSFET-транзистора Infineon IRFB4019PBF, его характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IRFB4019PBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Infineon OptiMOS™ 3. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях, мостовых схемах и цепях управления двигателями, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые преимущества технологии OptiMOS™ 3:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности на проводимость и нагрев, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей и трансформаторов).
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Улучшенная способность рассеивать энергию в аварийных режимах, что повышает надежность устройства.
• Низкий заряд затвора (Q G): Упрощает управление и снижает требования к драйверу затвора.

Корпус TO-220 обеспечивает удобный монтаж и эффективный отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-Channel MOSFET | — | | | Технология | OptiMOS™ 3 | — | | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, черезмонтажный | | Макс. напряжение "сток-исток" (V DSS) | 150 | В | | | Непрерывный ток стока (I D) при T=25°C | 98 | А | | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 4.5 | мОм | max. при V GS=10 В, I D=50 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.0 - 4.0 | В | min/max | | Макс. напряжение "затвор-исток" (V GS) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора (Q g) при V GS=10 В | 110 | нКл | типовое | | Время включения (t d(on) + t r) | 27 | нс | типовое | | Время выключения (t d(off) + t f) | 46 | нс | типовое | | Диод обратного восстановления (Q rr) | 580 | нКл | типовое | | Макс. рассеиваемая мощность (P D) при T=25°C | 330 | Вт | На радиаторе | | Диапазон рабочих температур (T J) | от -55 до +175 | °C | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: V DSS = 150В, I D ~100А, низкое R DS(on), корпус TO-220.

Прямые аналоги (Drop-in replacement) и эквиваленты от других производителей:

• Infineon: IRFB4019PBF (оригинал)
• Vishay / Siliconix: SUP70109E (очень близкий аналог по характеристикам)
• ON Semiconductor: FDP100N15B (150В, 100А, 7.5 мОм)
• STMicroelectronics: STP100N4F6 (46В, но часто используется в схемах на близкие напряжения из-за очень низкого Rds(on)) Внимание: напряжение ниже!
• IXYS: IXFH100N15X3 (150В, 100А, 9.5 мОм)

Похожие модели от Infineon (в той же линейке или с улучшенными параметрами):

• Infineon IRFB4110PBF: Более высокое напряжение (100В), но ниже ток (72А).
• Infineon IRFB4310PBF: Более высокое напряжение (100В), но ниже ток (70А).
• Infineon IRFB4020PBF: Более современная версия с улучшенными характеристиками.
• Infineon IPP100N15N3 G (в корпусе TO-220 FullPAK): Аналог от более новой линейки.

Важные примечания по применению и замене

1. Не является полным аналогом: Модели от других брендов (Vishay, ON Semi) могут иметь незначительные отличия в динамических характеристиках (заряде затвора, времени переключения). Это критично для высокочастотных преобразователей.
2. Проверяйте распиновку (Pinout): Хотя корпус TO-220 стандартный, всегда сверяйтесь с даташитом на конкретную модель перед заменой.
3. Управление затвором: Для эффективного управления таким мощным MOSFET необходим качественный драйвер затвора, способный быстро подавать и снимать значительный ток заряда/разряда (из-за высокой входной емкости). Использование простого вывода микроконтроллера невозможно.
4. Теплоотвод: При работе с большими токами обязателен адекватный радиатор. Корпус TO-220 рассчитан на мощность 330Вт только при идеальных условиях охлаждения (температура корпуса 25°C). В реальности расчеты ведут от максимальной температуры перехода (175°C).

Перед заменой оригинальной детали настоятельно рекомендуется внимательно изучить техническую документацию (даташит) на выбранный аналог, чтобы убедиться в полной совместимости по электрическим и динамическим параметрам в вашей конкретной схеме.