Infineon IRF2804PBF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRF2804PBF
Отличный выбор! Infineon IRF2804PBF — это классический и очень популярный силовой N-канальный MOSFET, известный своей надежностью и хорошим соотношением цена/производительность.
Описание
IRF2804PBF — это MOSFET с напряжением 40V и низким сопротивлением открытого канала (Rds(on) = 2.0 мОм), выполненный в корпусе TO-220. Он предназначен для коммутации больших токов в таких приложениях, как:
- Силовые источники питания (низковольтные выходные каскады, синхронные выпрямители).
- Управление двигателями (DC-моторы, шаговые двигатели, в автомобильной электронике, робототехнике).
- Инверторы и преобразователи (DC-DC, H-мосты).
- Силовые ключи и статические выключатели.
Его ключевое преимущество — очень низкие потери на проводимость, что позволяет работать с большими токами без значительного перегрева.
Основные технические характеристики (ТТХ)
- Тип транзистора: N-Channel Power MOSFET (HEXFET)
- Корпус: TO-220AB (сквозной монтаж, с изолирующей шайбой или без)
- Стратегия производства: Infineon's proprietary OptiMOS™ (в данном случае, более раннее поколение)
Напряжения:
- VDSS (Сток-Исток): 40 В
- VGS (Затвор-Исток): ±20 В (макс.)
Токи:
- ID (постоянный ток стока при Tc=25°C): 75 А
- ID (импульсный ток стока): 300 А
- IDM (импульсный ток, ограниченный корпусом): 280 А
Сопротивление:
- RDS(on) (сопр. сток-исток в открытом состоянии):
- При VGS=10 В: 2.0 мОм (макс.)
- При VGS=4.5 В: 2.8 мОм (макс.)
Заряд затвора:
- Qg (полный заряд затвора, типовое): 120 нКл (при VGS=10 В)
- Qgs (заряд переключения, типовое): 25 нКл
Пороговое напряжение:
- VGS(th): 2.0 - 4.0 В (тип. 3.0 В)
Тепловые параметры:
- Мощность рассеяния (PD): 200 Вт (при Tc=25°C)
- Температура перехода (TJ): от -55 до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC): 0.63 °C/Вт
Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)
Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по критичным параметрам (VGS(th), Qg, динамическим характеристикам).
Почти полные аналоги (от других производителей):
- STMicroelectronics: STP75NF04, STW75NF04 (в корпусе TO-247)
- Vishay/Siliconix: SUP75N04-04 (один из самых близких аналогов)
- Fairchild/ON Semiconductor: FDP75N04 (FDP75N04L — логический уровень)
- International Rectifier: IRF2804 (оригинальная модель от IR до покупки Infineon)
- NXP: Не имеют прямого аналога 40V/75A, но есть близкие по параметрам.
Совместимые/похожие модели от Infineon (включая более современные):
- IRF2804SPBF – аналог в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа.
- IRF3804PBF – более старая версия с чуть худшими параметрами.
- IRF3710PBF – 40V, 57A, Rds(on)=5.6 мОм (менее мощный, но часто используется в схожих схемах).
- IRFB3206PBF – 60V, 130A, Rds(on)=2.0 мОм (более высокое напряжение, больший ток).
- IRF1404PBF – 40V, 202A, Rds(on)=4.0 мОм (значительно больший ток, но выше Rds(on)).
- Более современные OptiMOS™ от Infineon: Для новых разработок лучше рассматривать современные серии, например, IPP075N04N (40V, 75A, но с Rds(on)=0.75 мОм и улучшенной динамикой). Они имеют меньшие потери, но могут отличаться по распиновке и требованиям к драйверу.
Ключевые моменты при замене:
- Напряжение VDSS: Должно быть не ниже (можно выше, но с оглядкой на другие параметры).
- Ток ID: Должен быть не ниже требуемого в вашей схеме.
- Сопротивление RDS(on): Критично для КПД и нагрева. Лучше равное или меньшее.
- Заряд затвора Qg: Влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Если Qg нового транзистора значительно выше, старый драйвер может не справиться.
- Корпус и распиновка: TO-220, TO-220 FullPak, TO-263, TO-247 — имеют разные монтажные и тепловые свойства.
- Пороговое напряжение VGS(th): Особенно важно для схем с питанием затвора от 3.3В или 5В (логический уровень). Стандартный IRF2804PBF требует ~10В для полного открытия.
Вывод: IRF2804PBF — проверенная «рабочая лошадка» для мощных низковольтных применений. Для замены в ремонте отлично подходят SUP75N04-04 (Vishay) или FDP75N04 (ON Semi). Для новых проектов рекомендуется оценить более современные модели, такие как IPP075N04N от Infineon, которые обеспечивают лучшую эффективность.