Infineon irf1104pbf

Конечно, вот подробная информация о транзисторе Infineon IRF1104PBF.

Описание

IRF1104PBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, предназначенный для коммутации больших токов в различных импульсных и линейных схемах. Это компонент, работающий в режиме обогащения (требует положительного напряжения на затворе относительно истока для открытия).

Ключевые особенности и применение:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет эффективно коммутировать большие токи с минимальными потерями мощности и нагревом.
• Высокая скорость переключения: Идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей, широтно-импульсных модуляторов (ШИМ).
• Управление напряжением (Logic Level): Может полностью открываться при напряжении на затворе всего 5 В, что позволяет напрямую управлять им с выходов микроконтроллеров (Arduino, STM32 и т.д.) и цифровых логических схем без использования драйверов высокого напряжения.
• Высокая энергоэффективность: Низкие динамические и статические потери.
• Основные сферы применения: Системы управления двигателями, реле и соленоидами, сильноточные ключи, источники питания, драйверы светодиодов, инверторы.

Корпус TO-220AB обеспечивает хороший отвод тепла как за счет радиатора, так и непосредственно через выводы при пайке на плату.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | TO-220AB | Пластиковый, с монтажным отверстием | | Схема выводов | Стандартная: 1 - Затвор (Gate), 2 - Сток (Drain), 3 - Исток (Source) | | | Макс. напряжение Сток-Исток (Vds) | 40 В | | | Макс. ток стока (Id) | 75 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | ~0.004 Ом (4 мОм) | Vgs = 10 В, Id = 37 А | | | ~0.006 Ом (6 мОм) | Vgs = 5 В, Id = 37 А | Ключевая особенность | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | Важно не превышать! | | Общая рассеиваемая мощность (Pd) | 150 Вт | При Tc = 25°C (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | | | Упаковка | Тубка (Tube) / Коробка (Box) | |

Парт-номера и совместимые модели (Прямые аналоги)

Прямые аналоги — это компоненты с максимально близкими или идентичными характеристиками и цоколевкой. Большинство из них являются функционально совместимыми и взаимозаменяемыми в типовых схемах.

Прямые аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STP75NF04, STP55NF06L
• Vishay / Siliconix: SUP75N04-04
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP047N08, FDP7030BL
• International Rectifier (часть Infineon): IRF3205 (рассчитан на 55V, но очень популярен и часто используется в аналогичных целях)
• Diodes Incorporated: DMP3056LSS-13

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet) конкретного аналога, особенно обращайте внимание на:

• Напряжение Vds: у аналога должно быть не меньше.
• Ток Id: должен быть не меньше.
• Сопротивление Rds(on) при Vgs=5V: критично для логического уровня.
• Распиновку выводов (Pinout): у TO-220AB она обычно стандартная, но бывают исключения.

Аналоги с улучшенными характеристиками (более новые модели):

Часто можно найти более современные и эффективные MOSFETы в том же корпусе:

• Infineon: IPP075N04NFD (более низкое Rds(on))
• Vishay: SiR476DP (технология TrenchFET®)

Важные замечания по использованию:

1. Необходимость радиатора: При коммутации токов более 5-10 А этот транзистор обязательно требует установки на радиатор. Без него он быстро перегреется и выйдет из строя.
2. Защита от статики (ESD): Как и любой MOSFET, IRF1104 чувствителен к статическому электричеству. Соблюдайте соответствующие меры предосторожности при пайке и монтаже.
3. Использование снабберных цепей: В цепях с индуктивной нагрузкой (моторы, соленоиды) для подавления выбросов напряжения необходимо использовать защитные диоды (например, flyback-диод).
4. Драйвер затвора: Для очень высокочастотного переключения (десятки-сотни кГц) даже для Logic-Level MOSFET'ов рекомендуется использовать драйвер затвора, чтобы обеспечить быстрый заряд/разряд емкости затвора и минимизировать время переключения.

Для проектирования точных схем всегда используйте официальный даташит (datasheet) на официальном сайте Infineon.