Infineon IPW65R080CFD

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые замены для MOSFET транзистора Infineon IPW65R080CFD.

Описание

Infineon IPW65R080CFD — это N-канальный功率MOSFET-транзистор (Power MOSFET), выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD7. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жесткой коммутацией, таких как PFC (корректор коэффициента мощности) и LLC-резонансные преобразователи.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ CFD7: Седьмое поколение технологии CoolMOS, которое обеспечивает исключительно низкие потери проводимости и коммутации. Это прямо ведет к повышению общего КПД (коэффициента полезного действия) системы.
• Высокое напряжение: Рассчитан на работу с напряжением до 650 В, что делает его идеальным для сетевых применений (220/380В).
• Низкое сопротивление открытого канала (R₂(on)): Очень низкое значение R₂(on) всего 80 мОм при напряжении затвора 10 В обеспечивает минимальные проводящие потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Быстрая работа позволяет уменьшить размеры пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в схеме.
• Встроенный обратный диод (Body Diode): Диод имеет улучшенные характеристики по восстановлению (Fast Recovery), что снижает потери и помехи при коммутации в индуктивных нагрузках.
• Низкий заряд затвора (Q₂): Облегчает управление затвором, снижая нагрузку на драйвер.
• Корпус TO-247: Классический корпус для силовых компонентов, обеспечивающий отличный отвод тепла благодаря большому контакту с радиатором.

Основное применение: Высокоэффективные источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем, игровых консолей, LED-телевизоров и зарядных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ CFD7 | | | Корпус | TO-247 | | | Максимальное напряжение сток-исток (V₂ₛ) | 650 В | | | Сопротивление открытого канала (R₂(on)) | 80 мОм (макс.) | V₂ₛ = 10 В, I₂ = 12 А | | | 105 мОм (макс.) | V₂ₛ = 4.5 В, I₂ = 12 А | | Максимальный непрерывный ток стока (I₂) | 18 А | при T₂ = 25°C | | | 12 А | при T₂ = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (I₂ₘ₍ₚₖ₎) | 72 А | | | Пороговое напряжение затвора (V₂ₛ(ₜₕ)) | 3.0 - 4.5 В | | | Общий заряд затвора (Q₂) | 46 нКл (тип.) | V₂ₛ = 400 В, I₂ = 12 А | | Заряд включения (Q₂(on)) | 17 нКл (тип.) | V₂ₛ = 400 В, I₂ = 12 А | | Время включения (t₂(on)) | 15 нс (тип.) | | | Время выключения (t₂(off)) | 29 нс (тип.) | | | Время восстановления встроенного диода (t₂₂) | 85 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P₂) | 270 Вт | при T₂ = 25°C | | Диапазон температур p-n перехода (T₂) | от -55 °C до +150 °C | |

Парт-номера и совместимые замены (Аналоги)

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (напряжение и сопротивление), но и динамические характеристики (заряды, скорость переключения), а также технологию.

Прямые аналоги и аналогичные семейства от других производителей:

• Infineon (прямые аналоги в других корпусах):

  • IPP65R080CFD — тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной металлической подложкой).
  • IPD65R080CFD — тот же кристалл, но в корпусе D²PAK (TO-263).

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCPF065N080 — аналог из серии SuperFET® III MOSFET (650V, 80 мОм, TO-247). Очень близкий прямой аналог.
  • FCH047N65S3 — 650V, 47 мОм (более мощный, но может быть заменен в некоторых случаях с запасом).

• STMicroelectronics:

  • STW68N65M5 — из серии MDmesh™ M5 (650V, 68 мОм, TO-247). Немного лучшее сопротивление.
  • SCT-серии (кремниевые карбидные MOSFET) не являются прямыми аналогами по напряжению управления, но могут использоваться в схожих применениях для достижения еще более высоких частот и КПД.

• Vishay / Siliconix:

  • SUP70N65-70 — 650V, 70 мОм (близкий параметр).

• Toshiba:

  • TK65N65W — 650V, 65 мОм (более высокие характеристики).

Как выбирать аналог:

1. Напряжение (V₂ₛ): Должно быть не менее 650В.
2. Сопротивление (R₂(on)): Должно быть сопоставимым или ниже (например, 75-85 мОм) при том же напряжении затвора.
3. Ток (I₂): Должен быть не менее 12А.
4. Технология: Лучше искать транзисторы, позиционируемые для PFC и LLC-каскадов (аналоги CFD7, SuperFET, MDmesh).
5. Корпус: TO-247 (или аналог в другом корпусе, если позволяет монтаж и охлаждение).
6. Динамические характеристики: Для сложных схем важно сверять графики по заряду затвора (Q₂) и времени восстановления диода (t₂₂).

Важно: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами (datasheet) обоих компонентов и проверять разводку пинов (pinout), так как она может отличаться у разных производителей. Рекомендуется проводить тестовые испытания замены в конечном устройстве.