Infineon IPW65R037C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список аналогов для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPW65R037C6.

Общее описание

Infineon IPW65R037C6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой Superjunction 600 V CoolMOS™ C6 технологии. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых преобразовательных устройствах, где критически важны высокий КПД, надежность и компактные размеры.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология CoolMOS™ C6 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и превосходные динамические характеристики, что приводит к значительному снижению коммутационных и проводимых потерь.
• Оптимизация для LLC-резонансных преобразователей: Данная серия специально разработана для работы в составе резонансных полумостовых и полномостовых схем (типовые применения: блоки питания для ПК, серверов, телевизоров, промышленного оборудования).
• Высокая стабильность и надежность: Компонент обладает высокой устойчивостью к лавинным процессам (100% тестирование) и отличной способностью к быстрому переключению.
• Низкие заряды затвора (Qg и Qgd): Это позволяет использовать менее мощные и более дешевые драйверы затвора, упрощая схему управления и снижая общую стоимость системы.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус, обеспечивающий хороший теплоотвод и удобство монтажа.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-Channel MOSFET | - | | Технология | - | CoolMOS™ C6 | - | | Повторяющееся напряжение | V_DSS | 650 В | - | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 37 мОм (макс.) | V_GS = 15 В, I_D = 18 А | | Максимальный ток стока | I_D | 36 А | при T_C = 100°C | | Свободный ток стока | I_DM | 144 А | Импульсный | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 1 мА | | Максимальное напряжение затвор-исток | V_GS | ± 25 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 60 нКл | V_DD = 400 В, I_D = 18 А, V_GS = 15 В | | Заряд затвор-сток (заряд Миллера) | Q_gd | ~ 12 нКл | V_DD = 400 В, I_D = 18 А, V_GS = 15 В | | Время включения | t_d(on) / t_r | 13 / 47 нс | V_DD = 400 В, I_D = 18 А, R_G = 3.3 Ом | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 70 / 22 нс | V_DD = 400 В, I_D = 18 А, R_G = 3.3 Ом | | Диод обратного восстановления | Q_rr | ~ 2.5 мкКл | I_F = 18 А, di_F/dt = 100 A/μs, T_j = 150°C | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 °C | - |

Совместимые модели и парт-номера (прямые аналоги)

Прямые аналоги — это компоненты с максимально близкими электрическими параметрами и такими же типом корпуса и цоколевкой. При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитами, особенно по динамическим характеристикам.

Аналоги от Infineon (другие серии с похожими параметрами):

• IPP65R037C6 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус с изолированной от теплоотвода металлической пластиной).
• IPW65R037C7 — Аналог из более новой серии CoolMOS™ C7, обладает еще лучшими показателями эффективности.

Аналоги от других производителей (ключевые конкуренты):

• STMicroelectronics:
  • STW36N65M6 — MOSFET 650V, 36A, 37 мОм из серии MDmesh™ M6 (корпус TO-247).
• ON Semiconductor (now onsemi):
  • FCPF036N65S3 — MOSFET 650V, 36A, 36 мОм из серии SuperFET® III (корпус TO-247F).
• Vishay Siliconix:
  • SUPERJUNCTION MOSFET 650V с аналогичным RDS(on) (необходим подбор по текущему каталогу, например, серия SVSP).
• Toshiba:
  • TK36A65W5 — MOSFET 650V, 36A, 36 мОм (корпус TO-247).

Важное примечание по совместимости: Несмотря на схожие ключевые параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), внутренняя структура, динамические характеристики (Q_g, Q_rr, времена переключения) и паразитные емкости у аналогов от разных производителей могут отличаться. Перед заменой в критичных по эффективности схемах (особенно в резонансных) необходимо проводить тестирование или тщательный анализ даташитов.