Infineon IPW60R160C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPW60R160C6.

Описание

Infineon IPW60R160C6 — это N-канальный功率MOSFET (Power MOSFET), выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, PFC, двухтактные преобразователи, мостовые схемы), где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C6: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) в сочетании с высоким быстродействием и улучшенными характеристиками переключения. Это позволяет снизить потери на проводимость и переключение, что напрямую повышает общий КПД системы.
• Высокое напряжение сток-исток: 650 В делает его идеальным для сетевых применений (работа от входного напряжения 85-265 В AC).
• Низкое сопротивление канала (RDS(on)): Всего 160 мОм при токе 15,5 А, что минимизирует нагрев при работе.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и зарядам (Qg, Qgd).
• Супер-барьерный диод (Super Junction Body Diode): Обладает улучшенной стойкостью к динамическому отказу (dv/dt) и более быстрым временем обратного восстановления (trr) по сравнению со стандартными MOSFET, что повышает надежность в жестких режимах работы.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус, обеспечивающий отличный теплоотвод и удобство монтажа на радиатор.

Основные области применения:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного и промышленного оборудования
• Источники сварочного аппарата
• Инверторы и приводы двигателей

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | 650 В | | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии | R_DS(on) | 160 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 15.5 А | | | | 190 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 7.75 А (при T_j = 125°C) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 1 мА | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 20 А | при T_C = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 80 А | | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 60 нКл | V_GS = 10 В | | Заряд затвор-сток (заряд Миллера) | Q_gd (тип.) | 12 нКл | V_DS = 400 В, I_D = 15.5 А | | Время включения | t_d(on) / t_r | 15 нс / 40 нс | | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 60 нс / 25 нс | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.5 К/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальный порядковый номер для заказа — IPW60R160C6XKSA1.

• Часто в каталогах и на сайтах дистрибьюторов он может указываться сокращенно как IPW60R160C6.
• Маркировка на корпусе транзистора обычно более короткая, например, IPW60R160C6.

Совместимые и аналогичные модели (Alternatives / Cross-Reference)

При поиске аналога или замены важно смотреть не на один параметр (например, только RDS(on)), а на комплекс характеристик: напряжение, ток, сопротивление, динамические параметры (Qg) и корпус.

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• IPP60R160C6 — Абсолютно идентичная характеристика, но в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус без металлической площадки с отверстием).
• IPW60R125C6 (125 мОм) — Более низкое сопротивление, но более высокий заряд затвора. Мощнее, но требует более мощного драйвера.
• IPW60R190C6 (190 мОм) — Более высокое сопротивление, но обычно дешевле. Может подойти, если требуется запас по току и нагрузкам.
• IPW60R099C6 (99 мОм) — Значительно более мощная и современная версия (технология C7), но с другими динамическими характеристиками.

Аналоги от других производителей (сопоставимые по ключевым параметрам):

• ON Semiconductor / Fairchild: FCH20N60F (150 мОм), FCP20N60 (190 мОм).
• STMicroelectronics: STW20NM60 (190 мОм), STP20NM60 (190 мОм, TO-220).
• Vishay Siliconix: SUD20N06-65 (160 мОм) — очень близкий аналог.
• IXYS: IXTH20N65C2 (160 мОм).

Важное замечание по совместимости: Перед заменой на аналог от другого производителя обязательно необходимо сверить:

1. Распиновку выводов (Pinout) корпуса.
2. Вольт-амперные характеристики (особенно зависимость RDS(on) от тока и температуры).
3. Динамические параметры (Qgd, Qgs, Qg) для обеспечения корректной работы драйвера.
4. Характеристики встроенного диода (время восстановления trr).

Настоятельно рекомендуется изучать даташиты (datasheet) обоих компонентов перед заменой.