Infineon IPW60R070C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPW60R070C6.

Описание

Infineon IPW60R070C6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Superjunction (SJ) технологии Infineon CoolMOS™ C6. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS).

Основное назначение: Применяется в силовой электронике, где требуется высокое напряжение, большой ток и низкие потери, а именно:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного и промышленного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критически важных по эффективности схемах (например, т.н. "Totem-Pole PFC").
• Инверторы и преобразователи энергии (например, в солнечных инверторах).
• Выпрямители и мостовые схемы.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ C6:

• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)): Всего 70 мОм при 600 В, что напрямую снижает conduction losses (потери на проводимость) и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям (зарядам) затвора и выхода, что уменьшает switching losses (коммутационные потери).
• Высокая надежность: Технология обеспечивает отличную устойчивость к лавинным процессам (UIS) и широкий запас по безопасной рабочей области (SOA).
• Оптимизирован для жестких режимов переключения: Отлично подходит для работ в схемах с резонансным и квазирезонансным переключением (LLC, QR).

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла, позволяя компоненту рассеивать значительную мощность.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условие | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.070 (макс.) / 0.049 (тип.) | Ом | | Условие для R_DS(on) | | V_GS = 10 V, I_D = 30 A | | | Стоковый ток (постоянный) при T_c=100°C | I_D | 28 | А | | Стоковый ток (импульсный) | I_DM | 112 | А | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 75 | нКл | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.5 - 4.7 | В | | Время включения | t_d(on) / t_r | 15 / 55 | нс | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 75 / 35 | нс | | Внутренний диод (Body Diode) | | Есть (интегрированный) | | | Макс. рабочая температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C |

Парт-номера и аналоги (Part Numbers & Cross-Reference)

Производители часто выпускают аналогичные компоненты под разными номерами. Прямым аналогом (функционально и электрически идентичным) является номер от самого Infineon в другом корпусе:

• IPP60R070C6 — тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной металлической подложкой). Это самый прямой аналог.

Совместимые модели и аналоги от других производителей (Cross-Reference):

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, времена переключения). Следующие модели являются близкими аналогами по ключевым параметрам и часто используются в аналогичных применениях:

• STMicroelectronics: STW60N60DM6, STW62N60DM6
• ON Semiconductor: FCPF60N60S, FCH60N60S
• Vishay Siliconix: SIH60N60E
• Toshiba: TK60N60W5, TK60N60S5

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть характеристик, перед заменой обязательно необходимо свериться с даташитами обоих компонентов, особенно обращая внимание на:

• Распиновку выводов (Pinout).
• Значения паразитных емкостей (C_iss, C_oss, C_rss).
• Заряд затвора (Q_g), который критически важен для работы драйвера.
• Рекомендуемые условия пайки (температура корпуса).

Для самых требовательных применений (например, ВЧ преобразователи) даже незначительные различия в динамических параметрах могут повлиять на КПД и тепловой режим системы.