Infineon IPW60R041C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPW60R041C6.

Описание

Infineon IPW60R041C6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это представитель линейки, разработанной специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C6: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) в сочетании с превосходной скоростью переключения. Это прямо ведет к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.
• Высокое напряжение: Рассчитан на работу в схемах с напряжением до 650 В, что делает его идеальным для сетевых источников питания (линейное напряжение 220/380В).
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 41 мОм при токе 32 А и напряжении затвора 10 В. Это минимизирует проводимые потери и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям затвора, что критично для высокочастотных преобразователей.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус, обеспечивающий отличный теплоотвод и удобство монтажа на радиатор.
• Оптимизация для PFC и LLC: Превосходно подходит для применений в корректорах коэффициента мощности (PFC) и резонансных полумостовых/мостовых схемах (LLC) в:
  • Компьютерных серверах и системах хранения данных
  • Промышленных источниках питания
  • Телекоммуникационном оборудовании
  • Источниках бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочных аппаратах и другом силовом оборудовании

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 650 В | | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 41 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 32 А | | | | 55 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 20 А | | Постоянный ток стока | I_D | 48 А | при T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 192 А | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 1 мА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 120 нКл | V_DD = 400 В, I_D = 48 А, V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) / t_r | 15 нс / 55 нс | | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 75 нс / 35 нс | | | Диод обратного восстановления | Q_rr (тип.) | 2.5 мкКл | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.45 °C/Вт | |

Парт-номера и аналоги (Part Numbers & Cross-Reference)

Помимо основного номера IPW60R041C6, у этого транзистора есть полный Ordering Code (код заказа), который может указываться в спецификациях или на коробках. Он включает в себя тип корпуса и упаковку.

Полный код заказа (Ordering Code):

• IPW60R041C6XKSA1 – это полное обозначение продукта. Чаще всего в поиске и заказе используют укороченную версию IPW60R041C6.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference):

При поиске замены важно смотреть не только на RDS(on), но и на напряжение, ток, заряд затвора (Qg) и корпус. Прямыми аналогами являются MOSFET с похожими ключевыми параметрами, часто из конкурирующих линеек других производителей или более новых поколений Infineon.

• Infineon: IPP60R041C6 (аналогичный транзистор, но в корпусе TO-220 FullPAK).
• STMicroelectronics: STW48N60M6 (600V, 48A, 41mΩ, TO-247). Очень близкий аналог.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCH47N60F (600V, 47A, 42mΩ, TO-247).
• Vishay / Siliconix: SUD50N06-65 (650V, 50A, 40mΩ, TO-247).
• Power Integration (как часть сборки): Хотя PI выпускает готовые решения, их можно рассматривать как альтернативу на системном уровне для построения источников питания.

Важное примечание по замене: Перед заменой одного компонента на другой обязательно необходимо свериться с даташитами и убедиться, что ключевые параметры (особенно вольт-амперная характеристика, заряды затвора Qg, Qgd и динамические характеристики) совпадают в рамках допустимого для вашей схемы. Не всегда компонент с "такими же" цифрами в названии будет идентично работать в высокочастотной схеме.