Infineon IPP076N12N3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и список совместимых моделей для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP076N12N3.

Общее описание

Infineon IPP076N12N3 — это N-канальный功率MOSFET (Power MOSFET), разработанный с использованием передовой технологии OptiMOS 3. Этот транзистор предназначен для чрезвычайно требовательных приложений, где关键参数такие как низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), высокая эффективность и надежность являются определяющими.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 0.76 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери мощности на нагрев и повышает общий КПД системы.
• Высокое рабочее напряжение: 120 В. Позволяет использовать в схемах с напряжением шины 48В, 72В и даже 96В с хорошим запасом прочности.
• Высокая рабочая температура: Корпус рассчитан на температуру перехода до 175 °C, что обеспечивает надежную работу в тяжелых условиях.
• Оптимизированный заряд затвора (Qg): Благодаря технологии OptiMOS 3, достигается отличный баланс между низким RDS(on) и зарядом затвора, что позволяет добиться высоких частот переключения с минимальными потерями на управление.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Транзистор способен выдерживать кратковременные перенапряжения, что повышает надежность конечного устройства.
• Корпус TO-220: Классический, широко распространенный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла с помощью радиатора.

Основные области применения:

• Системы управления электродвигателями (моторы)
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры)
• Сварочное оборудование
• Инверторы и частотные преобразователи
• Автомобильная промышленность (например, системы управления тяговыми электродвигателями)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DS | 120 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" | R_DS(on) | max. 0.76 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 40 А | | | | max. 0.95 мОм | V_GS = 4.5 В, I_D = 20 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.9 - 3.9 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Максимальный непрерывный ток стока | I_D | 240 А | при T_C = 25 °C | | | | 170 А | при T_C = 100 °C | | Полный заряд затвора | Q_g (typ.) | 150 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) / t_r | 17 нс / 59 нс | | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 63 нс / 32 нс | | | Макс. температура перехода | T_J | -55 ... +175 °C | | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC | 0.45 К/Вт | |

Парт-номера и совместимые аналоги

Производители часто выпускают один и тот же кристалл в разных корпусах или с разными префиксами. Прямыми аналогами и парт-номерами для IPP076N12N3 являются модели с такими же критическими параметрами (120V, ~0.76mΩ, корпус TO-220).

Прямые аналоги от Infineon (другие корпуса):

• IPB076N12N3 G — тот же кристалл, но в корпусе D2PAK (TO-263), предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
• IPT076N12N3 — тот же кристалл, но в полностью изолированном корпусе TOLL для требовательных применений.

Прямые аналоги и совместимые замены от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть не только на RDS(on), но и на заряд затвора (Qg), так как от этого зависит работа драйвера.

| Производитель | Парт-номер | R_DS(on) max. | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SQF80N12-07 | 0.75 мОм | Очень близкий прямой аналог | | STMicroelectronics | STP160N12F3 | 0.73 мОм | Аналог с несколько лучшими параметрами | | ON Semiconductor | FDP110N12 | 0.78 мОм | Очень близкий аналог | | IXYS | IXFH110N12T | 0.78 мОм | Высококачественный аналог |

Важно: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами и проверять:

1. Распиновку выводов (Pinout).
2. Значения порогового напряжения (V_GS(th)).
3. Внутреннюю структуру (наличие обратного диода, паразитные емкости).
4. Рекомендуемые условия пайки (особенно для SMD-корпусов).

Данный транзистор является отличным решением для построения мощных и высокоэффективных преобразователей энергии.