Infineon IPP024N06N3G
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPP024N06N3G
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPP024N06N3G.
Общее описание
Infineon IPP024N06N3G — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Это устройство предназначено для высокоэффективных и компактных решений, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), высокая скорость переключения и надежность.
Ключевые области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронное выпряление на вторичной стороне.
- DC-DC преобразователи (например, в серверах, телекоммуникационном оборудовании).
- Цепи управления двигателями (мотор-контроллеры).
- Системы управления батареями (BMS).
- Высокочастотные инверторы и приводы.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS 3 | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Полярность | Single | |
1. Предельные электрические характеристики (Absolute Maximum Ratings) | Параметр | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | Сток-исток напряжение, VDS | 60 | В | | Сток-исток импульсное напряжение, VDS (puls) | 70 | В | | Сток-затвор напряжение, VDG | 60 | В | | Постоянный ток стока, ID | 80 | А (при Tc=25°C) | | Импульсный ток стока, IDM | 320 | А | | Рассеиваемая мощность, Ptot | 125 | Вт (при Tc=25°C) | | Температура перехода, Tj | от -55 до +175 | °C | | Температура хранения, Tstg | от -55 до +150 | °C |
2. Электрические характеристики (Key Electrical Data) | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Сопротивление откр. канала, RDS(on) | — | 2.4 | 2.7 | мОм | VGS=10 В, ID=40 А | | | — | 3.0 | 3.4 | мОм | VGS=4.5 В, ID=40 А | | Пороговое напряжение затвора, VGS(th) | 2.0 | 2.7 | 3.5 | В | VDS=VGS, ID=250 мкА | | Общий заряд затвора, Qg (тип.) | — | 60 | — | нКл | VDS=48 В, ID=40 А, VGS=10 В | | Входная емкость, Ciss (тип.) | — | 1800 | — | пФ | VDS=25 В, VGS=0 В, f=1 МГц | | Время включения, ton (тип.) | — | 19 | — | нс | | | Время выключения, toff (тип.) | — | 37 | — | нс | |
3. Характеристики диода (Internal Body Diode) | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Непрерывный прямой ток, IS | 80 | А | | | Импульсный прямой ток, ISM | 320 | А | | | Прямое напряжение, VSD | — | ~1.3 | В (тип.) | IS=40 А, VGS=0 В |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
1. Прямые парт-номера от Infineon:
- IPP024N06N3GXKSA1 — это полный порядковый номер для заказа. Часто в спецификациях и даташитах модель указывается как IPP024N06N3G, что является ее базовым названием.
2. Прямые аналоги и совместимые модели (с очень близкими параметрами):
- Infineon IPP023N06N3G — предыдущий номинал в том же семействе (RDS(on) ~2.7 мОм). Может быть использован, если требуется небольшой запас по току.
- Infineon IPP030N06N3G — следующий номинал (RDS(on) ~3.0 мОм). Подходит, если нужен более доступный аналог с минимальной разницей в характеристиках.
- International Rectifier (ныне Infineon) IRLB4132PbF — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог с близкими параметрами (60В, 130А, RDS(on) ~3.7 мОм @ 10В). Проверять по схеме.
- STMicroelectronics STP80NF55-06 (55В, 80А, RDS(on) ~6.0 мОм). Менее эффективен, но может работать в тех же слотах при переразводке.
- Vishay (SiHP) SIHG80N60E (60В, 80А, RDS(on) ~9.5 мОм). Аналог по току/напряжению, но с более высоким сопротивлением.
3. Более современные аналоги от Infineon (технологии OptiMOS 4, 5, 6): Эти модели могут иметь лучшие характеристики (ниже RDS(on), заряд затвора) в том же корпусе, но часто стоят дороже. Важно: проверять распиновку и характеристики переключения.
- IPP024N06N4 (OptiMOS 4)
- IPP023N06N5 (OptiMOS 5)
Ключевые преимущества IPP024N06N3G:
- Сверхнизкое RDS(on): 2.4 мОм обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
- Высокая скорость переключения: Благодаря низкому заряду затвора (Qg), что снижает потери при переключении.
- Высокая устойчивость к перегрузкам: Высокий импульсный ток (320А) и широкий диапазон рабочих температур.
- Наличие встроенного обратного диода: Упрощает схемотехнику в некоторых применениях (например, синхронное выпряление).
Важное примечание по замене:
При замене на аналог необходимо всегда проверять:
- Напряжение VDS (должно быть не ниже).
- Ток ID (должен быть не ниже с учетом вашего теплового режима).
- Сопротивление RDS(on) (желательно не выше, чтобы не увеличивать нагрев).
- Заряд затвора Qg (если важна скорость работы драйвера).
- Распиновку корпуса (особенно при замене на модель другого производителя).
Для критичных применений рекомендуется изучать даташиты и, по возможности, проводить тестовые испытания.