Infineon IPB160N04S4-H1

тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPB160N04S4-H1
Infineon IPB160N04S4-H1 – Описание и технические характеристики
Описание:
IPB160N04S4-H1 – это N-канальный MOSFET транзистор от Infineon Technologies, выполненный по технологии OptiMOS™ 4. Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, моторных драйверов и других приложений, требующих низкого сопротивления открытого канала (R_DS(on)) и высокой энергоэффективности.
Корпус PG-TDSON-8 (5x6) обеспечивает хороший теплоотвод и компактные габариты, что делает его подходящим для современных энергосберегающих решений.
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 4 |
| Максимальное напряжение (V_DS) | 40 В |
| Ток стока (I_D) | 160 А (при 25°C) |
| Сопротивление R_DS(on) | 1.6 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 238 Вт |
| Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 78 нКл (тип.) |
| Тип корпуса | PG-TDSON-8 (5x6) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Температура перехода (T_j) | до +175°C |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели:
Прямые аналоги от Infineon:
- IPB160N04S4 (аналогичный, но без суффикса -H1)
- IPB160N04S4-ATMA1 (альтернативная версия)
- IPB160N04S4-H0 (более ранняя ревизия)
Совместимые модели от других производителей:
- Vishay SiR160DP (аналог с близкими параметрами)
- ON Semiconductor NTMFS4C06N (альтернатива с похожими характеристиками)
- STL160N4F7 (STMicroelectronics, аналогичный MOSFET)
Применение:
- DC-DC преобразователи
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Управление двигателями (H-мосты, моторные драйверы)
- Системы питания серверов и телекоммуникационного оборудования
Если требуется более высокая эффективность или другие параметры (например, более высокое напряжение), можно рассмотреть другие модели из линейки OptiMOS™ 5/6.
Нужна дополнительная информация или уточнения? 😊