Infineon IPB07N03L

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IPB07N03L, его характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IPB07N03L — это N-channel логический MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™. Предназначен для применения в низковольтных системах с высокой эффективностью, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и компактные размеры.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Чрезвычайно низкое сопротивление RDS(on) (максимум 7.0 мОм при VGS = 10 В) минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Логический уровень управления: Полностью открывается при низком напряжении на затворе (VGS = 4.5 В), что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров (МК) и логических схем без использования дополнительных драйверов.
• Технология OptiMOS™: Обеспечивает превосходное соотношение эффективность/стоимость, малый заряд затвора (Qg) и высокую скорость переключения.
• Корпус TO-263 (D2PAK): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Этот корпус имеет большую теплоотводящую площадку, что способствует лучшему отводу тепла от кристалла и позволяет рассеивать большую мощность по сравнению с меньшими корпусами (например, DPAK или SO-8).
• Назначение: Идеален для применения в качестве ключа в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи), схемах управления двигателями (например, в системах охлаждения ПК), мощных нагрузках в автомобильной электронике и силовой преобразовательной технике.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Технология: OptiMOS™
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1.8 - 3.0 В (тип. 2.35 В)
• Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)):
  • при VGS = 10 В: макс. 7.0 мОм
  • при VGS = 4.5 В: макс. 9.5 мОм
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
• Максимальный непрерывный ток стока (ID) при Tc = 25°C: 70 А
• Максимальный импульсный ток стока (IDpulse): 280 А
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Заряд затвора (Qg) при VGS = 10 В: тип. 26 нКл
• Время включения (ton): тип. 15 нс
• Время выключения (toff): тип. 37 нс
• Корпус: TO-263-3 (D2PAK)
• Рассеиваемая мощность (PD) при Tc = 25°C: 48 Вт

(Важно: Все максимальные значения указаны для определенных условий. Для проектирования всегда используйте официальный даташит и учитывайте температурные условия.)

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого компонента от производителя (Infineon) для разных типов упаковок (катушка, коробка и т.д.).

Парт-номера для IPB07N03L:

• IPB07N03L HX (часто указывается для упаковки на катушке)
• IPB07N03LXT (вероятно, обозначение для упаковки в Tape & Reel)

Совместимые аналоги (прямая замена)

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: N-channel, 30V, низкое RDS(on) (~7-10 мОм), логический уровень, корпус D2PAK (TO-263).

Популярные прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

| Производитель | Модель | RDS(on) (макс.) | Ток (ID) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IPB07N03L | 7.0 мОм | 70 А | Оригинал | | Vishay / Siliconix | SQJ470EP-T1_GE3 | 7.0 мОм | 40 А | Очень близкий аналог | | ON Semiconductor | NTMFS4H02N | 7.2 мОм | 40 А | Отличная замена | | STMicroelectronics | STL320N3LLH6 | 7.0 мОм | 100 А | Мощнее, проверять цоколевку | | Renesas | RJK0305DPP-M0 | 6.5 мОм | 50 А | Аналог с лучшими параметрами | | Nexperia | PSMNR70-30YLH | 7.0 мОм | 70 А | Прямой аналог |

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда необходимо:

1. Свериться с даташитом на аналог.
2. Проверить распиновку (pinout) корпуса. У большинства D2PAK транзисторов она стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но бывают исключения.
3. Убедиться, что ключевые для вашей схемы параметры (особенно напряжение открытия VGS(th) и заряд затвора Qg) подходят.

Для данного транзистора наиболее популярным и легко находимым аналогом является SQJ470EP-T1_GE3 от Vishay или NTMFS4H02N от ON Semiconductor.