Infineon IKW30N60T

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IKW30N60T, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

IKW30N60T — это N-канальный功率 MOSFET (Power MOSFET) на основе передовой технологии TRENCHSTOP™ IGBT 5. Это не классический MOSFET, а IGBT-транзистор, что является ключевым моментом.

Он сочетает в себе преимущества мощного биполярного транзистора (высокое рабочее напряжение, низкое падение напряжения в открытом состоянии) и простоту управления полевого МОП-транзистора (управление напряжением, высокое входное сопротивление).

Основные особенности и применение:

• Технология: TRENCHSTOP™ 5 (пятое поколение) — обеспечивает очень низкие потери проводимости и переключения, что повышает общий КПД системы.
• Корпус: TO-247 — классический корпус для мощных силовых компонентов, обеспечивающий отличный теплоотвод.
• Ключевое преимущество: Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) в сочетании с мягким и быстрым переключением, что снижает электромагнитные помехи (EMI).
• Основное применение:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно коррекция коэффициента мощности (PFC).
  • Инверторы и мостовые схемы.
  • Системы управления двигателями.
  • Сварочное оборудование.
  • Индукционный нагрев.

Этот компонент предназначен для использования в сильноточных и высоковольтных схемах, где важна эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | 600 | В | V_CES | | Постоянный ток коллектора (при T_c=100°C) | 30 | А | I_C @ 100°C | | Ток коллектора импульсный | 60 | А | I_CM | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 | В | V_CE(sat) (тип.) @ I_C=30A, V_GE=15V | | Падение напряжения на диоде | 1.5 | В | V_F (тип.) @ I_F=30A | | Общая рассеиваемая мощность | 230 | Вт | P_tot @ T_c=25°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | 0.55 | °C/Вт | R_thJC | | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | В | V_GE (макс.) | | Время включения | 29 | нс | t_d(on) / t_r | | Время выключения | 230 | нс | t_d(off) / t_f | | Заряд затвора | 63 | нКл | Q_g (тип.) | | Температура перехода | -55 to +175 | °C | T_j | | Корпус | TO-247 | | |

Part Number (Парт-номера)

Официальное название компонента от Infineon — IKW30N60T. Это полный и единственный парт-номер для заказа.

Иногда в спецификациях или на сайтах дистрибьюторов его могут указывать с дополнительными суффиксами, указывающими на тип упаковки (например, на катушке, в трубке), но основное название остается неизменным:

• IKW30N60T (отдельный компонент или в антистатической трубке)
• IKW30N60TXKSA1 (версия на катушке для автоматической установки)

Совместимые модели (Аналоги / Кросc-референс)

При поиске аналога необходимо учитывать ключевые параметры: 600В, 30А, корпус TO-247, технология IGBT (желательно того же поколения).

Прямые аналоги и кросc-референсы от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW30NC60WD (очень близкий аналог, IGBT 6-го поколения)
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH30N60LSD (аналог, но всегда нужно сверять даташит)
• Vishay: IGT30R60B1 (аналог)
• Fuji Electric: 2MBI30N-060 (сборка из двух IGBT, но с похожими параметрами)

Аналоги от Infineon (внутренний кросc-референс):

• IKW30N60H3 (Из более старого семейства TRENCHSTOP™. Может иметь немного другие динамические характеристики).
• IKW40N60T (Аналог на 40А, в том же корпусе. Подходит если нужен запас по току).

Важное примечание по совместимости: Несмотря на схожие электрические характеристики, у аналогов от разных производителей могут отличаться:

• Динамические характеристики (время переключения, заряд затвора).
• Параметры внутреннего демпфирующего диода.
• Коэффициент температурного режима.

Перед заменой всегда необходимо внимательно сравнивать datasheet (техническую документацию) как оригинального компонента, так и предлагаемого аналога, особенно разделы, касающиеся характеристик переключения и диаграммы безопасной рабочей области (SOA).