Infineon IGW50N60T

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon IGW50N60T.

Описание

IGW50N60T — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Infineon Technologies. Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 5, которая характеризуется оптимизацией для низких потерь проводимости и коммутации, что делает его идеальным для применений, работающих на высоких частотах.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое падение напряжения насыщения (V_CE(sat)): Обеспечивает высокую эффективность и меньшие потери проводимости.
• Высокочастотная способность: Благодаря технологии Trenchstop и быстрому восстановлению внутреннего диода, транзистор может эффективно работать в схемах с частотой коммутации выше, чем у стандартных IGBT.
• Прямая совместимость с МОП-транзисторами (MOSFET): Управляется напряжением, как MOSFET, что упрощает конструкцию драйвера затвора.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Обладает высокой устойчивостью к лавинному пробою.
• Изолированный корпус: Корпус TO-247 позволяет монтировать транзистор на радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловые характеристики (необходимо соблюдать момент затяжки).

Основные области применения:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы ИБП (источники бесперебойного питания)
• Импульсные источники питания (особенно в силовой части)
• Приводы электродвигателей

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | | | Номинальный ток коллектора | I_C | 50 А | При T_c = 25°C | | Ток коллектора (пиковый) | I_CM | 100 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1,75 В (тип.) | I_C = 50 А, V_GE = 15 В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 4,5 В (тип.) | V_CE = V_GE, I_C = 250 мкА | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE | ± 20 В (макс.) | Стандартное рабочее: +15 В / 0 В или -15 В | | Входная емкость | C_ies | 1500 пФ (тип.) | | | Энергия включения | E_on | 1,15 мДж (тип.) | | | Энергия выключения | E_off | 0,55 мДж (тип.) | | | Время включения | t_on | 30 нс (тип.) | | | Время выключения | t_off | 280 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 250 Вт | При T_c = 25°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0,5 К/Вт | | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | | | Корпус | - | TO-247 | |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальное название от Infineon — IGW50N60T. Этот номер является основным и используется для заказа.

Иногда в спецификациях или на сайтах дистрибьюторов можно встретить его в различных вариациях, но это один и тот же компонент:

• IGW50N60T (основной)
• IGW50N60T XKSA

Совместимые модели и аналоги

При поиске аналога (замены) для IGW50N60T важно учитывать ключевые параметры: напряжение V_CES (600 В), ток I_C (50 А), напряжение насыщения V_CE(sat) и корпус (TO-247).

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STGW50N60S — Очень близкий по характеристикам IGBT.
• Fuji Electric:
  • 2MBI50N-060 — Это модуль, содержащий два IGBT в одном корпусе, но по параметрам совместим.
• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FGH50N60SMD — Мощный IGBT с похожими характеристиками.

Аналоги от Infineon (для модернизации или замены в новых проектах):

Infineon постоянно обновляет свои линейки. Для новых разработок часто рекомендуются более современные серии с улучшенными параметрами.

• Серия IGWx0N60H5 (TRENCHSTOP™ 5 H5):
  • IGW50N60H5 — Прямой наследник с улучшенными динамическими характеристиками и еще более низкими потерями. Является лучшей прямой заменой для новых проектов.
• Серия IKW40N60H5 / IKW50N60H5: Тот же кристалл, но в корпусе TO-247 Plus (с дополнительным силовым выводом), что улучшает токовые характеристики и облегчает монтаж.

Важное замечание по замене:

Перед заменой транзистора в существующей схеме настоятельно рекомендуется:

1. Свериться с даташитами обоих компонентов.
2. Обратить внимание на емкость затвора и заряд затвора (Q_g), так как это может потребовать корректировки драйвера.
3. Проверить соответствие характеристик внутреннего диода (если он используется в схеме).
4. Убедиться, что распиновка (pinout) корпуса полностью идентична.

Для новых разработок рассмотрите возможность использования более современного аналога IGW50N60H5, который предлагает лучшие показатели эффективности.