Infineon IGP30N65H5

Артикул: 563750

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IGP30N65H5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового MOSFET транзистора Infineon IGP30N65H5.

Описание и применение

Infineon IGP30N65H5 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ H5. Это ключевой компонент в силовой электронике, предназначенный для работы в жестких условиях высоких напряжений и токов.

Ключевые особенности и преимущества:

Технология CoolMOS™ H5: Основное преимущество — это высочайшая эффективность и минимальные динамические потери при переключении. Технология H5 оптимизирована для работ в жестких переключающих режимах (hard switching), что делает ее идеальной для импульсных источников питания (SMPS).
Высокое напряжение: Напряжение сток-исток 650 В позволяет использовать его в сетевых схемах с напряжением 85-265 В, обеспечивая хороший запас по напряжению для защиты от выбросов и перенапряжений.
Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Очень низкое значение сопротивления (максимум 0.065 Ом при 10В на затворе) приводит к минимальным потерям проводимости и, как следствие, к меньшему нагреву корпуса и повышению общего КПД системы.
Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах (десятки и сотни кГц), что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) и уменьшению размеров конечного устройства.
Суперстепень защиты тела диода (Super Junction Body Diode): Диод обладает улучшенными характеристиками по обратному восстановлению (soft recovery), что снижает потери и помехи в схемах с индуктивной нагрузкой.

Типичные области применения:

Импульсные источники питания (SMPS): корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и мостовые топологии.
Системы промышленного привода и управления двигателями.
Системы освещения (светодиодные драйверы высокой мощности).
Источники бесперебойного питания (ИБП).
Сварочное оборудование.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

Поиск полного аналога всегда требует проверки по datasheet, особенно в критичных по параметрам схемах. Следующие модели являются прямыми или очень близкими аналогами по ключевым параметрам (напряжению, току, сопротивлению, корпусу и технологии).

Прямые аналоги и аналоги от Infineon (в других корпусах или линейках):

Infineon IPP30N65H5: Абсолютно тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной металлической задней пластиной).
Infineon IPW30N65H5: Тот же кристалл в корпусе TO-247-3 (более старая версия корпуса, совместима по выводам).
Infineon IGP20N65H5: Младшая модель в той же серии (25A, 90 мОм).
Infineon IGP40N65H5: Старшая модель в той же серии (40A, 48 мОм).

Аналоги от других производителей (совместимые по выводам и основным параметрам):

STMicroelectronics: STW30N65M5 (технология MDmesh M5, 650V, 30A, 62 мОм)
ON Semiconductor: FCP30N65 (SuperJunction MOSFET, 650V, 30A, 65 мОм) - один из самых популярных аналогов.
Vishay Siliconix: SUP70N65 (650V, 36A, 65 мОм)
Power Integration (в составе гибридных сборок, но не как отдельный компонент).
Chinese manufacturers: Часто можно найти клоны или аналоги от менее известных производителей, но их качество может сильно варьироваться.

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса и значения заряда затвора (Qg), внутренних индуктивностей и параметров тела диода (Qrr, trr). Несмотря на схожесть ключевых параметров, различия в динамических характеристиках могут повлиять на работу схемы на высоких частотах, требуя подстройки драйвера затвора.