Infineon IGP30N60H3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon IGP30N60H3.

Описание

IGP30N60H3 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии Infineon CoolMOS™ H3. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS).

Основные особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ H3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при малом значении заряда затвора (Qg). Это напрямую приводит к:
  • Высокому КПД: Меньшие коммутационные и проводимые потери.
  • Улучшенной термостабильности: Лучшее управление температурой и надежность системы.
  • Возможности работы на высоких частотах: Позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) в схемах.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает работу схемы управления (драйвера), снижает требования к току драйвера и уменьшает потери на переключение.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Транзистор обладает повышенной надежностью в условиях перегрузок и перенапряжений.
• Быстрое внутреннее тело-диод (Fast Body Diode): Важно для работ в резонансных и инверторных топологиях, где обратный диод играет ключевую роль. Обеспечивает хорошие характеристики восстановления.

Основная сфера применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, игровых консолей.
• Источники питания для телекоммуникационного оборудования.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Резонансные преобразователи (LLC).
• Инверторы и схемы управления двигателями.

Технические характеристики (краткие)

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | - | | Технология | CoolMOS™ H3 | - | | Корпус | TO-247 | - | | Макс. напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 | В | | Сопротивление в откр. сост. (R_DS(on)) @ V_GS=15 В, I_D=15 А | 0.085 (макс.) | Ом | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) @ T_c=100°C | 16 | А | | Заряд затвора (Q_g) @ V_GS=15 В | 52 | нКл | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.5 - 5.5 | В | | Время включения (t_d(on) / t_r) | 13 / 52 | нс | | Время выключения (t_d(off) / t_f) | 42 / 25 | нс |

Полные и детальные характеристики следует смотреть в официальном даташите (datasheet).

Парт-номера и совместимые аналоги

Важно понимать, что полностью идентичного аналога не существует. Совместимость зависит от конкретной схемы и требований к параметрам. Замена всегда требует проверки по даташитам.

Прямые парт-номера (Functional Equivalents)

Эти модели от других производителей имеют схожие ключевые параметры (напряжение 600В, ток ~15-20А, корпус TO-247) и могут рассматриваться как потенциальная замена в большинстве схем. Перед заменой обязательна проверка даташита!

• STMicroelectronics: STW20N60M2, STW19N60M2
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP20N60, FCH20N60F
• Vishay: IRFP460PbF (менее современный аналог, с большими потерями)
• Toshiba: TK20A60W (серия DTMOSIV)

Совместимые/родственные модели от Infineon (внутри бренда)

Часто в одной линейке есть несколько транзисторов с разными параметрами, которые можно использовать, если позволяет запас по току и потерям.

• Более мощные аналоги (больший ток, меньшее RDS(on)):
  • IPP60R099CP (до 21А, RDS(on)=0.099 Ом) - Корпус TO-220 FullPAK
  • IPW60R041C6 (до 48А, RDS(on)=0.041 Ом) - Корпус TO-247, технология C6
• Аналоги в корпусе TO-220 (для менее мощных систем):
  • IPP60R125C7 (до 11А, RDS(on)=0.125 Ом)
  • IPA60R125C6 (до 16А, RDS(on)=0.125 Ом)
• Прямые аналоги из других поколений CoolMOS:
  • SPW20N60C3 (более старое поколение C3)
  • IPP60R190C6 (аналогичные характеристики, поколение C6)

Важное примечание по замене: При поиске аналога обращайте внимание не только на напряжение и ток, но и на заряд затвора (Qg), емкости (Ciss, Coss, Crss) и параметры внутреннего диода (t_rr, Q_rr). Неправильно подобранный аналог может привести к перегреву драйвера, повышенным EMП-помехам или даже выходу из строя всей схемы. Всегда сверяйтесь с технической документацией.