Infineon IGP15N60T

Infineon IGP15N60T
Артикул: 563745

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IGP15N60T

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IGP15N60T.

Описание

Infineon IGP15N60T — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ T. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других преобразовательных приложениях, где критичны высокий КПД, надежность и компактность.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Технология CoolMOS™ T: Оптимизирована для работы в жёстком режиме переключения (hard-switching) в диапазоне частот до 100 кГц. Обеспечивает выдающееся соотношение показателей Rds(on) * Qg (сопротивление открытого канала * заряд затвора), что минимизирует как проводимые, так и динамические потери.
  • Высокое напряжение: 600 В — позволяет работать в сетевых приложениях (220/380В) с хорошим запасом по напряжению.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0,28 Ом при токе 7,5 А — низкие потери на проводимость.
  • Встроенный обратный диод (Body Diode): Имеет быстрое восстановление (Fast Recovery), что снижает потери при коммутации индуктивных нагрузок.
  • Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать энергию перенапряжений в режиме лавинного пробоя, что повышает надежность схемы в реальных условиях.
  • Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа и теплоотвода корпус.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой техники.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC).
  • Инверторы, приводы двигателей малой мощности.
  • Обратноходовые (Flyback) и прямоходовые (Forward) преобразователи.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.28 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 7.5 А | | Постоянный ток стока | ID | 15 А | При TC = 25°C | | Импульсный ток стока | IDM | 60 А | — | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора | Qg (тип.) | 45 нКл | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость | Ciss | 1350 пФ (тип.) | — | | Энергия лавинного пробоя | EAS (тип.) | 360 мДж | Показатель стойкости к перенапряжениям | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 156 Вт | При TC = 25°C (с радиатором) | | Температура перехода | TJ | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Корпус | — | TO-220 | Изолированный (FullPAK) или нет |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

Эти модели имеют идентичные или максимально близкие характеристики и технологию.

  • IPP15N60T — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, изолированный от радиатора).
  • IGP15N60T2 — Может быть незначительная ревизия или вариант для другого региона поставки. Требуется проверка даташита.
  • SPP15N60T — Аналогичный транзистор в корпусе TO-220 от Infineon, часто используется в схожих применениях.

2. Совместимые и аналогичные модели от других производителей (Кросс-референс):

При замене обязательно сверяться с даташитом на предмет отличий в динамических характеристиках (Qg, Ciss, задержках).

  • STMicroelectronics: STP15N60M2, STW15N60M2. Мощные MOSFET серии MDmesh™ II.
  • ON Semiconductor (Fairchild): FCP15N60, FCH15N60. Аналоги с хорошим соотношением цена/качество.
  • Vishay (Siliconix): SUP15N60-18, IRFB15N60K. Модели с похожими параметрами.
  • International Rectifier (IR): IRFB15N60KPBF — классический и широко распространенный аналог.
  • Power Integration: Часто используются в их готовых решениях, но как дискретный компонент — проверять по параметрам.

3. Важные замечания по замене:

  • Технология: CoolMOS™ T от Infineon имеет уникальные динамические характеристики. Прямая замена на аналог от другого производителя может потребовать корректировки схемы управления затвором (драйвера) из-за разницы в заряде Qg и емкостях.
  • Корпус: Обращайте внимание на индекс. IGP15N60T — стандартный TO-220 (металлическая площадка под радиатор электрически соединена со стоком). IPP15N60T — изолированный FullPAK.
  • Для новых разработок: Рекомендуется проверять актуальность модели на сайте Infineon, так как семейство CoolMOS™ постоянно обновляется (серии C3, C6, C7 с улучшенными параметрами).

Вывод: Infineon IGP15N60T — это надежный и эффективный транзистор для силовой преобразовательной техники среднего уровня мощности. При замене предпочтительнее использовать прямые аналоги от Infineon (IPP15N60T), а при выборе аналога от другого производителя необходим тщательный анализ даташитов, особенно в высокочастотных или критичных по КПД схемах.

Товары из этой же категории