Infineon H6327

Конечно. Вот подробная информация по инфракрасному (ИК) транзистору Infineon H6327.

Описание

Infineon H6327 — это N-канальный MOSFET-транзистор в маломощном корпусе SOT-23, использующий передовую технологию OptiMOS™. Ключевой особенностью данной серии является исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при очень малом заряде затвора (Qg).

Это делает транзистор идеальным решением для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), управления нагрузкой (Load Switch) и других приложений, где критически важны высокий КПД и минимальные потери на переключение, особенно в условиях низкого напряжения питания.

Основное назначение: Коммутация низковольтных цепей с высокими требованиями к энергоэффективности, например:

• Выходные каскады импульсных стабилизаторов (DC-DC конвертеры)
• Схемы управления питанием (Power Management) в материнских платах, серверах, телекоммуникационном оборудовании
• Порты USB (управление питанием)
• Модули в потребительской электронике (ноутбуки, планшеты, игровые консоли)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Технология: OptiMOS™
• Корпус: SOT-23
• Схема выводов (Pinout):
  1. Затвор (Gate)
  2. Сток (Drain)
  3. Исток (Source)

Ключевые предельные параметры (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DS | 30 | V | | Напряжение "Затвор-Исток" | V_GS | ±20 | V | | Постоянный ток стока | I_D @ T_C=25°C | 5.8 | A | | Максимальная мощность рассеяния | P_tot | 1.4 | W | | Температура перехода | T_J | -55 to +150 | °C | | Температура хранения | T_stg | -55 to +150 | °C |

Основные электрические характеристики (T_J = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. | R_DS(on) | V_GS = 10 V, I_D = 3.8 A | - | 8.5 | 10.5 | mΩ | | | | V_GS = 4.5 V, I_D = 3.1 A | - | 10.5 | 12.5 | mΩ | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | V_DS = V_GS, I_D = 250 µA | 1.65 | 2.1 | 2.65 | V | | Общий заряд затвора | Q_g | V_GS = 10 V, I_D = 5.8 A | - | 9.5 | - | nC | | Входная емкость | C_iss | V_DS = 25 V, V_GS = 0 V, f = 1 MHz | - | 470 | - | pF |

Парт номера (Part Numbers) и прямые аналоги

H6327 — это базовый парт-номер Infineon. Полное обозначение на корпусе может быть сокращено. Полное имя изделия часто выглядит так: IPD032N03L G, где:

• IPD — серия (OptiMOS 3)
• 032 — код сопротивления RDS(on)
• N03 — обозначение напряжения (30V)
• L — поколение технологии (логический уровень)
• G — корпус (SOT-23)

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Always check the datasheet for confirmation!):

• AOS (Alpha & Omega Semiconductor): AO3400A, AO3402
• Vishay / Siliconix: Si3400BDY, Si2333DDS
• Diodes Incorporated: DMT3007LPS, DMP3050LSS
• ON Semiconductor: NTTFS3H30N, NVTFS3H30N
• Nexperia: PSMN3R0-30YLD

Важно: Несмотря на функциональную совместимость, всегда необходимо сверяться с даташитом перед заменой, обращая особое внимание на:

1. Распиновку (Pinout) корпуса SOT-23. У некоторых аналогов расположение стока, истока и затвора может отличаться.
2. Пороговое напряжение (V_GS(th)). H6327 оптимизирован для логических уровней (запускается уже от 4.5В), в то время как некоторые старые аналоги могут требовать 10В для полного открытия.
3. Точное значение R_DS(on) при вашем рабочем напряжении затвора.

Таким образом, Infineon H6327 (IPD032N03L G) — это высокотехнологичный, эффективный и компактный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для низковольтных приложений с высокими требованиями к эффективности.