Infineon G50H655

Конечно, вот подробная информация о транзисторе Infineon G50H655.

Описание

Infineon G50H655 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Этот транзистор принадлежит к семейству суперджанкшен (Super Junction) MOSFET, которое славится своим исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Основное предназначение: Ключевой элемент в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (PFC - коррекция коэффициента мощности, LLC-резонансные преобразователи, двухтактные и мостовые схемы). Он идеально подходит для применений, требующих высокой частоты переключения, таких как:

• Компьютерные серверные блоки питания
• Промышленные системы питания
• Телекоммуникационное оборудование
• Источники питания для игровых консолей и ПК высокой производительности
• Системы освещения (LED драйверы)

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ C7:

• Высокая эффективность: Минимизирует потери на проводимость и переключение.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные блоки питания.
• Высокая надежность: Обладает отличной устойчивостью к перегрузкам и высокой стойкость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness).
• Улучшенное поведение при переключении: Оптимизированные динамические характеристики уменьшают электромагнитные помехи (EMI).

Технические характеристики (кратко)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET (Super Junction, CoolMOS™ C7)
• Структура корпуса: TO-247
• Напряжение "Сток-Исток" (Vds): 650 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 45 мОм (макс.) при Vgs = 10 В и токе 25 А
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 50 А
• Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse): 200 А
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.5 В (тип.)
• Общий заряд затвора (Qg): 110 нК (тип.) — низкий заряд способствует снижению потерь на переключение.
• Температура перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C

Полные технические характеристики всегда следует уточнять в официальном даташите (datasheet) на конкретную ревизию продукта.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

Этот транзистор имеет определенный код, по которому его можно найти у различных производителей и дистрибьюторов. Основной парт-номер:

• SP00G50H655

При поиске на сайтах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key, LCSC) или в системах заказа используйте как полный номер SP00G50H655, так и базовый G50H655.

Прямые аналоги и совместимые модели (Second Source)

Прямых идентичных аналогов с точно такими же характеристиками под тем же номером не существует, так как это продукт запатентованной технологии Infineon. Однако на рынке есть функционально совместимые и пин-ту-пин (pin-to-pin) аналоги от других ведущих производителей. Они подходят для замены в большинстве схем, но всегда требуют проверки даташита на предмет возможных nuances в динамических характеристиках.

Ключевые конкурирующие серии и модели для замены:

1. STMicroelectronics - серия MDmesh™ DM2

   • STW50N60DM2 (600В, 50А, Rds(on) = 45 мОм) - очень близкий аналог.
   • STW48N60DM2 (600В, 48А, Rds(on) = 56 мОм)

2. ON Semiconductor - серия SuperJunction MOSFET (FCP, FSL серии)

   • FCP50N65 (650В, 50А, Rds(on) = 45 мОм) - один из самых прямых аналогов.
   • FCPF50N65 (650В, 50А, Rds(on) = 45 мОм)

3. Toshiba - серия DTMOS IV

   • TK50A65W (650В, 50А, Rds(on) = 45 мОм)

4. Vishay / Siliconix - серия Super Junction

   • SUP50N65 (650В, 50А, Rds(on) = 45 мОм)

Важное примечание по замене: Перед заменой оригинального компонента на аналог необходимо:

1. Сверить распиновку (pinout) корпуса TO-247.
2. Убедиться, что ключевые параметры (Vds, Id, Rds(on), Qg, Vgs) находятся в допустимых для вашей схемы пределах.
3. Обратить внимание на паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss) и время переключения, если схема работает на высоких частотах.
4. Всегда рекомендуется изучать официальные даташиты обоих компонентов.