Infineon G30T60

Infineon G30T60
Артикул: 563533

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon G30T60

Конечно, вот подробная информация о IGBT-транзисторе Infineon G30T60.

Описание

Infineon G30T60 — это дискретный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) из серии Gen 3 (Third Generation), предназначенный для работы в мощных импульсных преобразователях.

Ключевые особенности и применение:

  • Высокая эффективность: Транзисторы третьего поколения оптимизированы для снижения потерь проводимости (Vce(sat)) и коммутационных потерь, что делает их подходящими для работ на средних и высоких частотах (вплоть до нескольких десятков кГц).
  • Прочная и надежная конструкция: Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла и высокую стойкость к механическим воздействиям.
  • Встроенный быстрый обратный диод: Модель включает в себя ультрабыстрый антипараллельный диод (FWD - Free Wheeling Diode), который необходим для индуктивных нагрузок (например, в мостовых схемах инверторов).
  • Основная сфера применения: Этот транзистор широко использовался в силовой электронике:
    • Промышленные и бытовые инверторы (например, инверторы для сварочных аппаратов).
    • Приводы двигателей (частотные преобразователи).
    • Источники бесперебойного питания (ИБП).
    • Системы управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство | IGBT Gen 3 | Третье поколение, оптимизированное под ключевой режим | | Корпус | TO-247 | Стандартный корпус для мощных компонентов | | Коллектор-Эмиттер напряжение (VCES) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (IC при 25°C) | 30 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (IC при 100°C) | 19 А | При температуре корпуса 100°C | | Насыщающее напряжение (VCE(sat)) | 2.85 В (тип.) | При IC = 30А, VGE = 15В | | Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 5.4 В (тип.) | | | Энергия включения (Eon) | 1.15 мДж (тип.) | При IC = 30А, VCC = 400В | | Энергия выключения (Eoff) | 0.65 мДж (тип.) | При IC = 30А, VCC = 400В | | Макс. температура перехода (Tj) | +150 °C | | | Встроенный обратный диод | Есть | Ультрабыстрый диод | | Прямое напряжение диода (VF) | 2.3 В (тип.) | При IF = 30А |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Важно понимать, что полных идентичных аналогов не существует, но есть множество функционально совместимых и прямых конкурентов с аналогичными или очень близкими параметрами. Они могут иметь отличия в динамических характеристиках, уровне потерь и т.д., поэтому при замене всегда рекомендуется сверяться с даташитами.

Прямые аналоги от других производителей:

  • STMicroelectronics: STGW30NC60WD (очень популярный и распространенный аналог, также IGBT Gen 3 в корпусе TO-247).
  • Fuji Electric: 2MBI30N-060 (сборка из двух таких IGBT, но можно найти и одиночные).
  • ON Semiconductor (Fairchild): FGA30N60 (ныне производится ON Semi).
  • IR (International Rectifier, теперь Infineon): IRG30B60KD1 (более старая серия, но все еще встречается).

Совместимые и похожие модели от Infineon:

Сам Infineon со временем модернизировал свои линейки. G30T60 — модель уже не самая новая. Более современные и эффективные серии от Infineon, которые могут служить заменой в новых разработках:

  • IKW30N60T (серия IKWxxT): Более современный IGBT от Infineon в том же корпусе TO-247. Имеет лучшие динамические характеристики и меньшее Vce(sat).
  • IGW30N60T (серия IGWxxT): Аналогичная серия, также является усовершенствованным аналогом.
  • Серия IxxP / Hxx (в корпусе TO-3P): Например, IHW30N60P. Корпус TO-3P очень похож на TO-247 по размерам и монтажным отверстиям, часто является прямой заменой с возможным лучшим теплоотводом.

Важное примечание: При замене всегда обращайте внимание на:

  1. Распиновку (pinout) корпуса TO-247. У большинства производителей она стандартная (1 - Затвор, 2 - Коллектор, 3 - Эмиттер), но лучше проверить.
  2. Характеристики внутреннего диода (если он критичен для вашей схемы).
  3. Рекомендуемое напряжение на затворе (VGE). Обычно оно стандартное ±20 В, а рабочее +15 В.
  4. Динамические параметры (скорость переключения, величины Eon/Eoff), так как они могут повлиять на нагрев и работу драйвера.

Для точного подбора аналога лучше всего использовать сервисы поиска аналогов на сайтах производителей или крупных дистрибьюторов электронных компонентов.

Товары из этой же категории