Infineon G15H1203

Конечно. Вот подробное описание транзистора IGBT Infineon G15H1203.

Общее Описание

Infineon G15H1203 — это дискретный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный для мощных и высокоэффективных силовых применений.

Этот компонент принадлежит к серии H Series (High Speed), которая характеризуется:

• Низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Это означает меньшее падение напряжения на открытом транзисторе, что приводит к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.
• Высокой скоростью переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что ведет к уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в конечном устройстве.
• Позитивной температурной зависимостью Vce(sat): Облегчает параллельное соединение нескольких IGBT для увеличения общей мощности, так как ток между ними распределяется более равномерно.

Ключевое применение: G15H1203 идеально подходит для преобразователей частоты (частотных приводов), сварочного оборудования, источников бесперебойного питания (ИБП), индукционных нагревателей и других силовых инверторных систем.

Технические Характеристики (Electrical Characteristics)

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В
  • Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор.
• Ток коллектора (Ic) при 100°C: 15 А
  • Максимальный постоянный ток, который может пропускать открытый транзистор. При 25°C этот показатель обычно выше (около 30 А), но всегда рассчитывается на максимальную температуру корпуса.
• Ток коллектора импульсный (Icm): 30 А
  • Максимальный кратковременный импульсный ток.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)):
  • Типовое: 2.7 В (при Ic=15A, Vge=15V, Tj=25°C)
  • Максимальное: 3.0 В (при Ic=15A, Vge=15V, Tj=150°C)
• Падение напряжения на внутреннем диоде (Vf): 3.3 В (макс.)
  • Характеристика встроенного обратного (антипараллельного) диода.
• Энергия включения/выключения (Eon / Eoff):
  • Eon: 1.8 мДж (тип.)
  • Eoff: 0.45 мДж (тип.)
  • Показывают динамические потери при переключении. Меньшие значения предпочтительнее для высокочастотных схем.
• Пороговое напряжение затвора (Vge(th)): 5.3 В (тип.)
  • Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает открываться.
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (Vges): ±20 В
  • Важно! Превышение этого напряжения, особенно отрицательного, ведет к необратимому повреждению затвора. Для защиты используются стабилитроны или TVS-диоды.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.65 °C/Вт
  • Показывает, насколько сильно нагревается кристалл относительно корпуса при выделении 1 Вт мощности. Чем меньше значение, тем лучше тепло отводится от кристалла.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые Модели

Парт-номера могут незначительно отличаться в зависимости от упаковки, типа выводов (прямые/изогнутые) и наличия/отсутствия партии.

Основной парт-номер:

• G15H1203 (базовая модель)

Полное обозначение на корпусе может включать:

• G15H1203 + ... (дополнительные буквы/цифры, обозначающие производственную партию, например, G15H1203U).

Совместимые и Аналогичные Модели

При поиске аналога или замены важно смотреть не только на основные параметры (Vces, Ic), но и на динамические характеристики (Eon, Eoff) и характеристики внутреннего диода.

Прямые аналоги и конкуренты от других производителей:

• STMicroelectronics: STGW30H120DF3 (очень близкий аналог по характеристикам и корпусу TO-247)
• Fuji Electric: 15MBI120VX-120 (в корпусе модуля, но с похожими параметрами)
• ON Semiconductor (Fairchild): HGTG30N120B3 (более старый аналог, может иметь отличия в динамике)
• IXYS (Littelfuse): IXGH30N120B3 (также хорошо известный аналог)

Аналоги от Infineon (для модернизации или иных требований):

• Более новая технология (IGBT7): Модели серии IKW (например, IKW40N120CS7). Они имеют значительно более низкие потери, но могут требовать пересмотра драйвера из-за другой паразитной емкости.
• В корпусе TO-3P: IGW15N120H3 (похожие параметры, но в другом, часто более дешевом корпусе).
• Модули для больших мощностей: Если одного транзистора недостаточно, Infineon предлагает модули, например, серии EconoPIM™ или EconoDUAL™, которые содержат несколько IGBT и диодов в одной сборке.

Важно: Перед заменой на аналог обязательно сверяйтесь с даташитами обоих компонентов, особенно разделы, касающиеся:

• Вольт-амперных характеристик (Vce(sat))
• Зависимостей от температуры
• Емкостей затвора (влияет на требования к драйверу)
• Характеристик внутреннего диода (особенно скорость восстановления, trr).