Infineon FS200R12KT4R

Infineon FS200R12KT4R
Артикул: 563278

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FS200R12KT4R

Конечно. Вот подробное описание модуля Infineon FS200R12KT4R, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon FS200R12KT4R — это двухуровневый IGBT-модуль (Dual) третьего поколения (IGBT3, Trench Stop) в очень популярном и распространённом корпусе 62 мм (EconoDUAL™ 3).

Он представляет собой законченный силовой полумостовой инвертор (Half-Bridge) и широко используется в качестве силового ключа в трёхфазных преобразователях. В одном корпусе интегрированы два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами обратного восстановления (FRD).

Ключевые особенности и применение:

  • Мощность: Относится к модулям средней и высокой мощности.
  • Назначение: Предназначен для построения трёхфазных инверторов (для управления трёхфазными двигателями), активных выпрямителей и других преобразователей энергии.
  • Типичные применения:
    • Промышленные частотные преобразователи (ПЧ, VFD)
    • Приводы электродвигателей
    • Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
    • Импульсные источники питания большой мощности
    • системы плавного пуска (Софтстартеры)

Модуль оптимизирован для низких потерь проводимости и коммутации, что делает его высокоэффективным решением.


Технические характеристики

Здесь приведены основные электрические характеристики при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжения | | | | | Коллектор-Эмиттер макс. напряжение | VCES | 1200 | V | | Импульсное напряжение коллектор-эмиттер | VCESP | 1300 | V | | Эмиттер-Коллектор макс. напряжение | VECS | 1200 | V | | Токи | | | | | Номинальный ток коллектора (при Tc=80°C) | IC | 300 | A | | Максимальный ток коллектора (пиковый) | ICM | 600 | A | | Ток диода (макс. постоянный) | IF | 300 | A | | Максимальный импульсный ток диода | IFM | 600 | A | | Потери мощности | | | | | Потери мощности при коммутации (типовые) | Ptot | 1050 | W | | Тепловые параметры | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.035 | K/W | | Максимальная температура перехода | Tvjop | +150 | °C | | Характеристики IGBT | | | | | Насыщающее напряжение коллектор-эмиттер (тип.) | VCE(sat) | 1.85 | V | | Время включения (тип.) | ton | 70 | ns | | Время выключения (тип.) | toff | 400 | ns | | Характеристики диода | | | | | Прямое падение напряжения (тип.) | VFM | 1.65 | V | | Время обратного восстановления (тип.) | trr | 110 | ns | | Прочее | | | | | Вес | - | ~ 270 | г | | Монтажный момент | - | 3.0 | Н·м | | Изоляционное напряжение (мин.) | Viso | 2500 | VRMS |


Парт-номера и совместимые модели

Этот модуль имеет несколько парт-номеров и множество аналогов от других производителей. Совместимость, как правило, прямая (drop-in replacement) по распиновке и механическим размерам, но всегда требуется проверка электрических характеристик и номиналов в даташите на конкретную замену.

Парт-номера Infineon (EconoDUAL™ 3, 1200V, 300A)

  • FS200R12KT4 (базовая версия, без суффикса "R")
  • FS200R12KT4R_B11 (версия с улучшенными параметрами или другой серийный номер)

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

  • Semikron: SK200GH126 (аналог серии SEMiX系列)
  • Fuji Electric: 2MBI200VXB-120-50 (серия V-Series)
  • Mitsubishi Electric: CM200TU-24T (более старый аналог, требует проверки характеристик)
  • Hitachi: (Например, серии HSeries)
  • Vincotech: V23990-P629-Ф43-pm (Vincotech часто использует свою систему обозначений, но выпускает модули в корпусе EconoDUAL™ 3. Необходим подбор по току и напряжению).

Важное примечание по совместимости: Хотя механический корпус и распиновка стандартизированы (EconoDUAL™ 3), при замене модуля обязательно нужно учитывать:

  1. Напряжение (1200V): Должно совпадать или быть выше.
  2. Ток (300A): Должен совпадать или быть выше (с учетом условий охлаждения).
  3. Технология чипа (IGBT3, IGBT4, IGBT7): Более новые поколения (например, IGBT7) имеют меньшие потери, что может потребовать корректировки драйверов или системы охлаждения.
  4. Внутренняя схема (Topology): Полумост (Half-Bridge) должен совпадать.

Перед заменой всегда сверяйтесь с технической документацией (даташитам) обоих модулей.

Товары из этой же категории