Infineon FD300R06KE3HOSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для модуля Infineon FD300R06KE3HOSA1.

Описание

Infineon FD300R06KE3HOSA1 — это современный двухуровневый IGBT-модуль (Half-Bridge / 2-Pack) третьего поколения (IGBT3) с технологией TrenchStop. Он предназначен для использования в мощных импульсных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные приводы (частотные преобразователи)
• Системы возобновляемой энергетики (инверторы для солнечных и ветровых установок)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Индукционный нагрев

Модуль интегрирует в одном изолированном корпусе два IGBT-транзистора и два антипараллельных диода, образующих два независимых ключа (полумостовую конфигурацию). Ключевыми преимуществами являются низкие динамические потери, высокая перегрузочная способность и надежность. Модуль обладает низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и положительным температурным коэффициентом, что позволяет легко соединять их параллельно для увеличения мощности системы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Описание | | :--- | :--- | :--- | | Тип модуля | Half-Bridge (2-Pack) | Два ключа в полумостовой конфигурации | | Технология | IGBT3 с TrenchStop | 3-е поколение IGBT, низкие потери | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток (Ic при 100°C) | 300 А | Ток коллектора при температуре кристалла 100°C | | Ток импульса (Icm) | 600 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | ~1.65 В (тип.) | Падение напряжения в открытом состоянии, определяет потери проводимости | | Открывающее напряжение диода (Vf) | ~1.8 В (тип.) | Падение на антипараллельном диоде | | Скорость переключения | Высокая | Оптимизирована для работы на частотах до нескольких кГц | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.035 К/Вт | Сопротивление "кристалл-корпус" для каждого IGBT | | Корпус | EconoDUAL 3 | Стандартный промышленный корпус с изолированной базой | | Монтаж | Винтовые зажимы (M6) | Для силовых цепей | | Материал основания | Медь с керамической изоляцией (Al2O3 - оксид алюминия) | Обеспечивает электрическую изоляцию и эффективный отвод тепла | | Вес | ~ 220 г | | | Рабочая температура перехода (Tj) | -40 °C ... +150 °C | Максимальная температура кристалла 150°C | | Температура хранения (Tstg) | -40 °C ... +125 °C | |

Парт-номера и аналоги (совместимые замены)

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры (Vces, Ic), но и механические характеристики (корпус, расположение выводов) и схему включения (топологию) внутри модуля.

Прямые парт-номера и аналоги от других производителей:

Это модули в корпусе EconoDUAL 3 с номиналом 600В / 300А и топологией Half-Bridge.

1. Semikron: SK300GH066T (очень близкий и популярный аналог)
2. Fuji Electric: 2MB1300VXB-060-50
3. Mitsubishi Electric: CM300DY-12NFH (более старый аналог, требует проверки даташита)
4. ON Semiconductor: NVX3000Q066H1 (аналог от onsemi, приобретшей подразделение Fairchild)

Совместимые модули от Infineon (другие номиналы в том же корпусе):

• Более высокий ток: FD400R06KE3 (400А)
• Более низкий ток: FD200R06KE3 (200А)
• Другая топология в том же корпусе (требует изменения схемы управления):
  • PIM-модуль (Converter-Brake-Inverter): FP30R06KE3 (30А), FP50R06KE3 (50А) и др.
  • Трехфазный инвертор (6-Pack): FS300R06KE3 (300А)

Важное примечание по замене

Перед заменой модуля обязательно необходимо свериться с технической документацией (даташитом) как на оригинальный модуль, так и на предлагаемый аналог. Несмотря на совпадение корпуса и основных номиналов, могут отличаться:

• Внутренняя паразитная индуктивность.
• Рекомендуемые параметры драйверов (величина токов управления, резисторы в цепи затвора).
• Рекомендуемые условия работы и схемы снабберов.
• Распиновка вспомогательных (управляющих) выводов.

Рекомендуемый источник для проверки актуальной информации — официальный сайт Infineon Technologies или авторизованные дистрибьюторы электронных компонентов.