Infineon DD89N16K-K

Infineon DD89N16K-K – Описание и технические характеристики

Описание

Infineon DD89N16K-K – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей, DC-DC конвертеров, моторных приводов и других приложений с высоким напряжением и током.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (RDS(on)), обеспечивающее минимальные потери мощности
• Высокая стойкость к импульсным нагрузкам
• Быстрое переключение благодаря малой емкости затвора
• Надежная работа в жестких условиях эксплуатации

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (VDS) | 160 В | | Макс. ток (ID) | 89 А (при 25°C) | | Сопротивление (RDS(on)) | 9.5 мОм (при VGS = 10 В) | | Мощность (PD) | 300 Вт | | Напряжение затвора (VGS) | ±20 В | | Темп. перехода (Tj) | от -55°C до +175°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера Infineon:

• DD89N16K (базовая версия без "-K")
• IPD90N16S4-04 (близкий аналог по характеристикам)
• SPW89N16S4-04

Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

• STMicroelectronics – STP89N16K5
• Vishay – SUP89N16-16
• ON Semiconductor – FDP89N16
• IXYS – IXFH89N16

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (H-мосты, инверторы)
• Индукционные нагреватели
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметрам по VDS, ID, RDS(on) и корпусу.