Infineon DD350N18K

Infineon DD350N18K
Артикул: 562830

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD350N18K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DD350N18K.

Общее описание

Infineon DD350N18K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к линейке высокоэффективных компонентов, разработанных для применений, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевая особенность этой серии — использование корпуса TO-247, что указывает на его предназначение для мощных систем с высокими токами и напряжением, требующих эффективного отвода тепла. Транзистор оптимизирован для работы в жестких условиях промышленного и автомобильного оборудования.

Основное назначение: Применяется в силовых электронных устройствах, таких как:

  • Инверторы и моторные приводы (промышленные, для электромобилей)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Выпрямители и сварочное оборудование
  • Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
  • Солнечные инверторы

Ключевые технические характеристики

В спецификациях указаны максимальные абсолютные значения и типовые параметры при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 180 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока | ID | 195 | А | При TC = 25°C | | Стоковый ток (импульсный) | IDM | 780 | А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление "сток-исток" во вкл. состоянии | RDS(on) | 1.8 | мОм | Ключевой параметр! При VGS = 10 В | | | | 2.3 | мОм | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.8 - 3.8 | В | Типовое 3.3 В | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | VGS | ±20 | В | | | Общий заряд затвора | QG | ~240 | нКл | Типовое, влияет на динамику переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 520 | Вт | При TC = 25°C | | Температура перехода | Tj | -55 … +175 | °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | RthJC | 0.24 | К/Вт | |

Ключевые преимущества технологии OptiMOS™ 5:

  • Чрезвычайно низкое RDS(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев.
  • Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (QG, Qgd).
  • Высокая стойкость к лавинному пробою: Повышенная надежность в индуктивных схемах.
  • Высокая рабочая температура перехода (до 175°C): Позволяет работать в тяжелых условиях.

Part-номера (полная маркировка и аналоги)

  • Полное коммерческое наименование: DD350N18K
  • Маркировка на корпусе (TO-247): Обычно наносится как DD350N18K или укороченный вариант.
  • Аналоги и парт-номера в других линейках Infineon:
    • IPP023N18N5 — аналог из серии OptiMOS™ 5 600V/150V Industrial Power Transistor. Это прямой и наиболее близкий аналог с практически идентичными характеристиками, часто используется как альтернатива.
    • Для новых разработок Infineon рекомендует переходить на более новое поколение OptiMOS™ 6 (150V/200V), например, IAUCN15N04F006NA (в другом корпусе). Однако полного аналога в TO-247 с такими же параметрами в Gen6 может не быть.

Совместимые модели (Аналоги от других производителей)

Подбор аналога требует проверки datasheet, но следующие модели от других брендов обладают схожими ключевыми параметрами (180В, ~2 мОм, TO-247) и могут рассматриваться для замены в новых проектах или при отсутствии оригинала:

  • STMicroelectronics: STH195N18K5 (серия STripFET™ K5) — очень близкий конкурент.
  • ON Semiconductor (now onsemi): FDP195N18A — аналогичный MOSFET в TO-247.
  • Vishay Siliconix: SIR195DP — мощный транзистор с похожими характеристиками.
  • Nexperia: Предлагает мощные MOSFET, но модель с такими точными параметрами нужно искать в их каталоге (например, серия PSMN).

ВАЖНО при замене:

  1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса TO-247. У большинства производителей она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но возможны исключения.
  2. Внимательно сравните динамические параметры (QG, Ciss), особенно если схема работает на высоких частотах.
  3. Проверяйте паразитные внутренние диоды (скорость восстановления) для мостовых и инверторных схем.
  4. Учитывайте разницу в максимальной температуре перехода и коэффициенте теплового сопротивления.

Рекомендация: Для критичных по надежности применений (промышленность, транспорт) предпочтительнее использовать оригинальный DD350N18K или его официальный аналог IPP023N18N5 от Infineon. При поиске замены всегда опирайтесь на актуальные даташиты.