Infineon BSP50H6327XTSA1

Infineon BSP50H6327XTSA1 – Описание и технические характеристики

Описание

Infineon BSP50H6327XTSA1 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-263-3 (D²PAK), предназначенный для высокоэффективного управления нагрузкой в силовых приложениях. Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Силовая электроника в автомобильной и промышленной сфере

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая энергоэффективность
• Защита от перегрева и перегрузки

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-263-3 (D²PAK) |
| Напряжение сток-исток (VDS) | 55 В |
| Ток стока (ID) | 50 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on)| 6.5 мОм (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 2–4 В |
| Максимальная мощность (Pd) | 125 Вт |
| Температура хранения | -55°C … +150°C |
| Температура перехода (Tj) | до 175°C |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера Infineon (аналогичные по характеристикам):

• BSP50H6327 (основная версия)
• BSP52NE2L (50 В, 52 А, 6.5 мОм)
• BSP75N10S3-5 (100 В, 75 А, 10 мОм)
• BSP89 (60 В, 89 А, 4.5 мОм)

Совместимые модели других производителей:

• STP55NF06L (STMicroelectronics)
• IRF3205 (Infineon/International Rectifier)
• FDP047N10 (ON Semiconductor)
• IPP50N10S4-5 (Infineon)

Заключение

BSP50H6327XTSA1 – мощный MOSFET с низким сопротивлением, подходящий для энергоэффективных решений в силовой электронике. Рекомендуется проверять datasheet для конкретных условий эксплуатации.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!