Infineon BSP319

Конечно, вот подробная информация об инфракрасном MOSFET транзисторе Infineon BSP319.

Описание

Infineon BSP319 — это N-канальный MOSFET транзистор в компактном корпусе SOT-223, предназначенный для коммутации низковольтных нагрузок. Его ключевыми особенностями являются:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Всего 1.5 Ом при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при переключении нагрузок, что особенно важно в энергоэффективных устройствах.
• Низкое пороговое напряжение затвора (V GS(th)): Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных логических уровней (например, от микроконтроллеров с питанием 3.3 В или 5 В), хотя для достижения минимального R DS(on) рекомендуется напряжение 10 В.
• Компактный корпус SOT-223: Занимает мало места на печатной плате, но при этом способен рассеивать большую мощность по сравнению с более мелкими SOT-23, благодаря наличию специальной теплоотводящей площадки.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии TrenchMOS, транзистор эффективно работает в импульсных режимах (например, в ШИМ-управлении).
• Логический уровень (Logic Level): Хотя полное открытие достигается при 10В, транзистор начинает открываться при очень низком напряжении, что делает его условно-совместимым с логическими уровнями 3.3В/5В для нагрузок небольшой мощности.

Основное применение:

• Управление нагрузками (моторы, реле, светодиоды, лампы) с помощью микроконтроллеров (Arduino, STM32, ESP8266/32 и т.д.)
• Импульсные стабилизаторы напряжения (DC-DC преобразователи)
• Системы управления питанием (Power Management)
• Коммутация цепей в бытовой электронике, компьютерной периферии, автомобильной электронике.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
• Технология: TrenchMOS
• Корпус: SOT-223
• Полярность: Logic Level Enhancement Mode

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings):

• Сток-исток напряжение (V DSS): 60 V
• Сток-исток напряжение в открытом состоянии (V DS(on)): 60 V
• Постоянный ток стока (I D) при T C = 25°C: 1.7 A
• Постоянный ток стока (I D) при T C = 100°C: 1.1 A
• Импульсный ток стока (I DM): 6 A
• Мощность рассеяния (P tot) при T A = 25°C: 2 W
• Мощность рассеяния (P tot) на теплоотводе (на плате): 1.5 W
• Температура перехода (T J): от -55 до +150 °C
• Температура хранения (T stg): от -55 до +150 °C
• Напряжение затвор-исток (V GS): ±20 V

Основные электрические параметры (при T J = 25°C, если не указано иное):

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R DS(on)):
  • при V GS = 10 В, I D = 0.5 A: макс. 1.5 Ом
  • при V GS = 4.5 В, I D = 0.5 A: макс. 2.0 Ом
• Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): 1.0 - 2.5 В (тип. 1.75 В) при I D = 1 mA
• Входная емкость (C iss): 120 пФ
• Емкость обратной связи (C rss): 25 пФ

Парт-номера (Part Numbers)

Официальный и полный порядковый номер для заказа — BSP319. В зависимости от производителя упаковки (катушка, россыпь) могут добавляться суффиксы:

• BSP319 (обычно для россыпи)
• BSP319H (может указывать на специфическую упаковку, например, на катушке (Tape & Reel))
• BSP319XT (также вариант для упаковки на катушке)

При поиске и заказе достаточно основного обозначения BSP319.

Совместимые и аналогичные модели (Alternatives & Cross-Reference)

Прямых полных аналогов с идентичными характеристиками может не быть, но существует огромное количество MOSFET-ов в том же корпусе и с похожими или лучшими параметрами, которые могут его заменить в большинстве схем.

Ключевые параметры для поиска аналога: N-канал, SOT-223, Vds > 60V, Id > 1.7A, низкое Rds(on) при Vgs=4.5В или 10В.

Аналоги от Infineon:

• BSP295 (более старый, но очень популярный аналог)
• BSP315 (близкий аналог)
• IRLML6402 (P-channel, но часто используется в паре для управления)
• Серия BS... (много других MOSFET в корпусе SOT-223)

Аналоги от других производителей (прямые или улучшенные замены):

| Модель | Производитель | Vds | Id | Rds(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | BSP319 | Infineon | 60 V | 1.7 A | 1.5 Ом | Оригинал | | FQP30N06L | ON Semiconductor | 60 V | 32 A | 0.035 Ом | TO-220, намного мощнее | | IRLZ44N | Infineon | 55 V | 47 A | 0.022 Ом | TO-220, намного мощнее | | SI2302 | Vishay | 20 V | 2.7 A | 0.085 Ом | SOT-23, меньшее напряжение | | DMN3410U | Diodes Inc. | 30 V | 2.8 A | 0.055 Ом | SOT-23, меньшее напряжение | | AO3400 | Alpha & Omega | 30 V | 5.7 A | 0.028 Ом | SOT-23, меньшее напряжение, выше ток | | NDS355AN | ON Semiconductor | 30 V | 2.2 A | 0.065 Ом | SOT-23, меньшее напряжение | | IRLML5203 | Infineon | 30 V | 3.7 A | 0.045 Ом | SOT-23, P-Channel (для верхнего плеча) |

Важно:

1. Обращайте внимание на корпус. Аналоги в SOT-23 (например, SI2302) меньше по размеру и имеют другую цоколевку (распиновку).
2. Указанные аналоги в корпусе TO-220 (FQP30N06L, IRLZ44N) имеют значительно бóльшие размеры, но и гораздо лучшие характеристики по току и мощности. Они требуют теплоотвода для работы на высоких токах.
3. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet) перед заменой, особенно обращая внимание на распиновку (pinout) и пороговое напряжение затвора.

Для прямого управления от 3.3В часто ищут транзисторы с еще более низким Rds(on) при Vgs=2.5В или 3.3В (например, серии IRL от Infineon, но они часто в других корпусах). BSP319 для полного открытия лучше управлять напряжением 5В или 10В.