Infineon BSM200GB120DN2

Описание и технические характеристики модуля Infineon BSM200GB120DN2

Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Grade)
Назначение: Применяется в преобразователях частоты, инверторах, системах управления электродвигателями, промышленном оборудовании и возобновляемой энергетике.
Конструкция: Модуль включает два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|---------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Потери мощности (P_tot) | 625 Вт |
| Диод обратного хода (FWD) | Встроенный, 200 А, 1200 В |
| Температура перехода (T_vj) | -40°C до +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Корпус | 34-контактный, модуль с изолированным основанием |
| Вес | ~150 г |

Совместимые и аналогичные модели

Парт-номера Infineon (аналоги)

• BSM200GB120DN2E (модификация с улучшенными характеристиками)
• BSM200GB120DLC (альтернативная версия)

Совместимые модули других производителей

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200U2B-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• ON Semiconductor: NXH200B120H3Q1

Примечания

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять схему подключения в документации Infineon перед монтажом.
• Совместимость с аналогами зависит от конкретного применения и параметров системы.

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать datasheet Infineon или консультацию с поставщиком.