Infineon BSD223P

Infineon BSD223P – Описание, технические характеристики и совместимые модели

Описание

Infineon BSD223P – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для применения в схемах переключения и управления питанием. Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи)
• Управление двигателями
• Силовая электроника (например, в автомобильных системах)
• Защитные схемы и ключи нагрузки

Характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Макс. напряжение (VDS) | 30 В |
| Макс. ток стока (ID) | 27 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 11 мОм (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 1.5 – 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 50 Вт (с теплоотводом) |
| Темп. перехода (Tj) | от -55°C до +175°C |
| Заряд затвора (Qg) | ~20 нКл (типовое) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Infineon BSD223P:

• IRL40B209 (International Rectifier)
• STP40NF10 (STMicroelectronics)
• FDP7030BL (Fairchild/ON Semiconductor)
• SUD40N06-09 (Vishay)

Совместимые модели (с близкими параметрами):

• IRF3205 (55 В, 110 А, 8 мОм) – более мощный аналог
• IRLZ44N (55 В, 47 А, 22 мОм) – аналог для менее требовательных схем
• AOD4185 (30 В, 60 А, 6 мОм) – альтернатива с меньшим RDS(on)

Применение и замена

• Подходит для замены в схемах с напряжением до 30 В и токами до 20–25 А.
• Если требуется большая мощность, можно использовать IRF3205 или IRL40B209.

Если вам нужен точный аналог, лучше сверить параметры VDS, ID, RDS(on) и Qg в даташите.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению? Уточните задачу!