Infineon BSC100N06LS3G

Infineon BSC100N06LS3G – Описание и технические характеристики

Описание

BSC100N06LS3G – это N-канальный MOSFET транзистор от Infineon Technologies, выполненный по технологии OptiMOS™ 3. Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, моторных драйверов и других приложений с низким сопротивлением и высокой переключательной способностью.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (RDS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая устойчивость к лавинному пробою
• Оптимизирован для работы в импульсных режимах
• Корпус TO-263 (D²PAK)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение VDS | 60 В |
| Макс. ток стока ID | 100 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (IDM) | 400 А |
| Сопротивление RDS(on) | 1.7 мОм (при VGS=10 В) |
| Потребляемая мощность (PD) | 166 Вт |
| Напряжение отсечки VGS(th) | 2.35 В (тип.) |
| Заряд затвора (Qg) | 85 нКл |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативы от Infineon и других производителей):

• Infineon BSC100N06LS3 (близкий аналог)
• Infineon IPP100N06S4-03
• Vishay SiR1006DP
• ON Semiconductor NTMFS5C604NL
• STMicroelectronics STL100N6F7

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• IRF IRFB3206PbF
• Fairchild (ON Semi) FDB100N06
• Toshiba TK100E06N1

Применение

• DC-DC преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Системы защиты от перегрузки
• Автомобильная электроника

Если нужна более детальная информация (графики, схемы включения), уточните запрос!