Infineon BCV47E6327HTSA1

Конечно, вот подробная информация о транзисторе Infineon BCV47E6327HTSA1.

Описание

BCV47E6327HTSA1 — это кремниевый NPN-транзистор в маломощном корпусе SOT-23 (TSOP-6), предназначенный для применения в схемах усиления и переключения сигналов.

Ключевые особенности и применение:

• Тип: Биполярный транзистор (BJT), NPN.
• Основное назначение: Усиление по току (каскады предварительного усиления), импульсные схемы, драйверы для управления более мощными компонентами.
• Ключевые преимущества:
  • Высокий коэффициент усиления по току (hFE): До 630 при определенных условиях, что делает его эффективным для усиления слабых сигналов.
  • Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Позволяет эффективно использовать его в ключевом режиме с минимальными потерями мощности.
  • Высокая граничная частота (fT): До 250 МГц, что делает его пригодным для работы в низко- и среднечастотных RF-схемах.
  • Малый корпус: SOT-23 идеально подходит для компактных печатных плат современной электроники.
• Типичные области применения: Аудиоусилители, схемы управления, источники питания, драйверы светодиодов, выходные каскады для микроконтроллеров, RF-усилители (на низких частотах).

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Структура: NPN
• Корпус: SOT-23 (TSOP-6)
• Полярность: NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): -45 V (минус указывает на то, что в datasheet принято обратное направление напряжения для этого конкретного обозначения, но по факту это 45В)
• Напряжение коллектор-база (Vcbo): -50 V
• Напряжение эмиттер-база (Vebo): -5 V
• Постоянный ток коллектора (Ic): +100 mA
• Коэффициент усиления по току (hFE):
  • @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V: 240 - 630
  • @ Ic = 10 mA, Vce = 5 V: 160 - 400
  • @ Ic = 50 mA, Vce = 5 V: 60 - 160
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)):
  • @ Ic = 50 mA, Ib = 5 mA: макс. 0.2 V
  • @ Ic = 100 mA, Ib = 10 mA: макс. 0.35 V
• Граничная частота усиления по току (fT): типовое значение 250 MHz @ Ic = 10 mA, Vce = 5 V, f = 100 MHz
• Шумовое напряжение: typ. 1.5 dB @ Ic = 100 μA, Vce = 5 V, Rg = 1 kΩ, f = 1 kHz
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 250 mW (при температуре окружающей среды +25°C)
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C

Примечание: Полные и точные данные смотрите в официальном даташите (datasheet) от Infineon.

Парт-номера (Part Numbers) и Аналоги

Этот транзистор является частью семейства BCV4x. Парт-номер BCV47E6327HTSA1 является полным порядковым номером производителя (Ordering Code). Ключевая часть — BCV47.

Совместимые модели и прямые аналоги (NPN, SOT-23, схожие параметры):

От Infineon:

• BCV46 — Аналог с очень похожими характеристиками, часто используется в паре с BCV47 в дифференциальных каскадах.
• BCV49 — Схожий транзистор, но с другим значением усиления.
• BCV71, BCV72 — Также аналогичные малосигнальные транзисторы от Infineon.

От других производителей (всегда проверяйте распиновку и даташит перед заменой!):

• ON Semiconductor:
  • MMBT4401 (более распространенный и часто используемый аналог, Vceo=40V, Ic=600mA)
  • MMBT3904 (очень популярный, но с меньшим усилением, Vceo=40V, Ic=200mA)
  • BC847B (Vceo=45V, Ic=100mA) — очень близкий по параметрам аналог.
• Nexperia:
  • BC847B (аналог от Nexperia, корпус SOT-23)
  • PMBT4401
• Diodes Incorporated:
  • MMBT4401
  • BC847B
• STMicroelectronics:
  • BC847B
  • MMBT4401
  • 2SC2712

Важное примечание по аналогам:

• MMBT4401 является одним из самых распространенных и доступных аналогов, но у него значительно больший максимальный ток коллектора (600mA vs 100mA у BCV47).
• BC847B — практически полный функциональный аналог с такими же напряжениями и током.
• ВСЕГДА сверяйтесь с даташитом перед заменой, особенно обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса SOT-23, так как она может отличаться у разных производителей и даже у разных моделей одного производителя.