Infineon BCR555

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и списки совместимых компонентов для транзистора Infineon BCR555.

Общее Описание

Infineon BCR555 — это кремниевый PNP-транзистор в маломощном корпусе SOT-23, предназначенный в первую очередь для линейного управления светодиодами (LED driver). Его ключевая особенность — встроенные резисторы на базе, что делает его биполярным транзистором с цифровым управлением (Digital Transistor).

Это означает, что для его работы не требуется внешний токоограничивающий резистор на базе, что значительно упрощает проектирование схемы, экономит место на печатной плате и снижает общую стоимость компонентов. Он идеально подходит для непосредственного подключения к выводам микроконтроллеров (GPIO), логическим схемам (TTL, CMOS) и других цифровых источников сигнала для включения/выключения или линейного управления нагрузкой.

Ключевые Применения

• Управление светодиодами: Основное применение — в качестве драйвера для светодиодных индикаторов, панелей, подсветки.
• Ключ (свитч) для маломощных нагрузок: Коммутация реле, моторчиков, небольших соленоидов.
• Инверторы и буферные каскады: В цифровых схемах для согласования уровней сигнала.
• Усилители тока: Для усиления выходного тока микросхем.

Технические Характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: PNP
• Корпус: SOT-23
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (Максимальное напряжение, которое можно приложить между коллектором и эмиттером)
• Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 В
• Постоянный ток коллектора (IC): -500 мА (Максимальный непрерывный ток, который может коммутировать транзистор)
• Коэффициент усиления по току (hFE):
  • При IC = -2 мА, VCE = -5 В: 160 - 320
  • При IC = -150 мА, VCE = -5 В: 60 - 120
• Встроенные резисторы: Последовательно с базой встроен резистор R1 = 4.7 кОм. Также имеется резистор R2 между базой и эмиттером для улучшения помехоустойчивости.
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 250 мВт (при температуре окружающей среды 25°C)
• Температура перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C

Парт-номера (Part Numbers) и Маркировка

Поскольку компонент производится разными вендорами, у него есть несколько общепринятых обозначений. Маркировка на корпусе SOT-23 поможет идентифицировать деталь.

| Производитель | Полное название | Маркировка на корпусе | | :---------------- | :-------------------- | :-------------------- | | Infineon | BCR555 | 3F | | ON Semiconductor | BCR555 | 3F | | ROHM | DTC143TEB (аналог) | См. datasheet ROHM | | Nexperia | PUMD1 (аналог в корпусе с 2-мя транзисторами) | См. datasheet Nexperia |

Важно: На корпусе SOT-23 будет нанесен код 3F. Это стандартная маркировка для BCR555 от большинства производителей.

Совместимые и Аналогичные Модели (Alternatives / Cross-Reference)

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: PNP-тип, встроленные резисторы, напряжение VCEO ≥ 50В, ток IC ≥ 500мА.

Прямые аналоги (с практически идентичными параметрами):

• BCR555 от ON Semiconductor, WeEn Semiconductor (прямой репликат от других производителей).
• KST555 (часто встречающийся аналог).
• DTC143TEA (ROHM) - Внимание: это NPN транзистор, не подходит!
• DTC143ZEB (ROHM) - Внимание: это NPN транзистор в другом корпусе, не подходит!

Важное примечание по ROHM: Прямого PNP-аналога с резисторами и напряжением 50В у ROHM в линейке "Digital Transistor" может не быть. Указанные выше DTCxxx — это популярные NPN-транзисторы, которые часто ищут по ошибке.

Функциональные аналоги (проверять распиновку!):

• MMBT5551 (PNP-транзистор общего назначения, НО без встроенных резисторов, требуют внешнего резистора на базе).
• BC857 Series (PNP, но с меньшим напряжением VCEO ~45В).
• PUMD1, PUMD2 от Nexperia (Двойные PNP-транзисторы со встроенными резисторами в корпусе SOT363, проверять распиновку и параметры).

Чем можно заменить в схеме:

1. Если критично наличие встроенных резисторов: Ищите любой Digital Transistor PNP-типа с подходящими VCEO и IC. Параметры встроенных резисторов могут незначительно отличаться (например, 4.7 кОм vs 10 кОм), что повлияет на необходимый ток базы для переключения.
2. Если наличие резисторов не критично: Любой маломощный PNP-транзистор с подходящими параметрами (например, MMBT5401, MMBT5551, BC856) в паре с внешним резистором на базе номиналом ~4.7 - 10 кОм.

Всегда обязательно сверяться с datasheet и проверять распиновку (pinout) перед заменой одного компонента на другой!