Infineon BCR196WH6327

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и список аналогов для транзистора Infineon BCR196WH6327.

Общее описание

Infineon BCR196WH6327 — это кремниевый NPN-транзистор в маломощном корпусе SMD (SOT-223), предназначенный преимущественно для линейного регулирования напряжения. Его ключевая особенность — встроенная цепь смещения (резисторы R1 и R2 на кристалле), что делает его транзистором с фиксированным напряжением смещения (Digital Transistor / Bias Resistor Transistor).

Благодаря встроенным резисторам, он существенно упрощает схему, уменьшает количество внешних компонентов и экономит место на печатной плате. Этот транзистор оптимизирован для работы в режиме усилителя и линейного стабилизатора, а не для ключевых применений (как, например, MOSFET), что обеспечивает низкий уровень шума и высокую стабильность.

Основные сферы применения:

• Линейные стабилизаторы и регуляторы напряжения (особенно в цепях низкого напряжения).
• Усилители низкой частоты и малого сигнала.
• Драйверы для управления светодиодами, реле, небольшими двигателями.
• Импедансные преобразователи.
• Интерфейсные схемы между микроконтроллерами и нагрузкой с более высоким напряжением/током.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: NPN с встроенными резисторами
• Корпус: SOT-223
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (минус указывает на то, что для NPN-транзистора это максимальное положительное напряжение на коллекторе относительно эмиттера)
• Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 В
• Постоянный ток коллектора (IC): -100 мА
• Коэффициент усиления по току (hFE):
  • При IC = -2 мА, VCE = -5 В: 135 - 270
  • При IC = -10 мА, VCE = -5 В: 110 - 220
  • При IC = -50 мА, VCE = -5 В: 60 - 120
• Встроенные резисторы:
  • Резистор между базой и эмиттером (R1): 10 кОм
  • Резистор между базой и внешним управляющим выводом (R2): 10 кОм
• Рассеиваемая мощность (Ptot):
  • При температуре корпуса до 25°C: 1.5 Вт
  • С теплоотводом (на печатной плате) мощность может быть значительно выше.
• Диапазон рабочих температур (Tj): от -55 °C до +150 °C

Примечание: Отрицательные значения тока и напряжения в даташите являются стандартным обозначением для NPN-транзисторов, указывающим направление тока.

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

• Полное название производителя: BCR196WH6327
• Корпус SOT-223: На корпусе нанесена маркировка B9.
• Упаковка: Обычно поставляется в tape & reel (на катушке). Стандартное количество в катушке — 2500 штук.

Совместимые модели и прямые аналоги (Alternatives)

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (VCEO, IC), но и значения встроенных резисторов, так как от этого напрямую зависит работа схемы.

Прямые или очень близкие аналоги (с резисторами 10k+10k Ом):

1. ROHM DTC114WET2L (SOT-423, требует проверки распиновки)
2. ON Semiconductor DTC114WUA (SC-70, требует проверки распиновки)
3. Nexperia PBRN196H,115 (SOT-223, маркировка B9 — самый прямой аналог)
4. Toshiba SSM6N201RU (VDFN8, но функционально схож по параметрам)
5. KEC KST196H (SOT-23, требует проверки распиновки и корпуса)

Важные замечания по аналогам:

• Nexperia PBRN196H,115 — это практически полный функциональный и корпусной аналог с идентичной маркировкой B9. Часто используется как прямая замена.
• Внимание на корпус! Многие аналоги (например, от ROHM или ON Semi) выпускаются в корпусах SOT-23 или SC-70. Они имеют схожие электрические параметры, но совершенно другую распиновку выводов и размеры. Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитом на конкретный компонент.
• Если параметры встроенных резисторов не критичны, можно подобрать другой цифровой транзистор с подходящими VCEO и IC, но в этом случае может потребоваться перрасчет схемы.

Чем можно заменить, если нет цифровых транзисторов:

Если аналогов с встроенными резисторами нет в наличии, BCR196 можно заменить на обычный NPN-транзистор (например, BC817-40 или MMBT4401) с добавлением двух внешних резисторов (оба номиналом 10 кОм): один между базой и управляющим сигналом (R2), второй между базой и эмиттером (R1). Это менее удобно, но функционально.