Infineon BC857AE6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon BC857AE6327.

Описание

Infineon BC857AE6327 — это маломощный PNP-биполярный транзистор общего назначения (BJT), предназначенный для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Ключевые особенности и применение:

• Тип проводимости: PNP. Это означает, что для его открытия на базу относительно эмиттера необходимо подать отрицательное напряжение.
• Назначение: Усиление сигналов, переключение нагрузок, логические инверторы, драйверы малой мощности.
• Корпус: SOT-23 (Small Outline Transistor). Это очень популярный миниатюрный корпус для поверхностного монтажа (SMD), широко используемый в современной электронике.
• Упаковка: Поставляется на ленте в корпусе типа Tape & Reel (E6327 — это суффикс, указывающий на упаковку для автоматизированной сборки), что делает его идеальным для массового производства.
• Основные преимущества: Высокий коэффициент усиления по току (hFE), низкое напряжение насыщения, компактные размеры и надежность от ведущего производителя Infineon.

Этот транзистор является частью комплементарной пары к NPN-транзистору BC847AE6327.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical Characteristics)

Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения :--- | :--- | :--- | :--- Максимально допустимые значения | | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -45 | V Напряжение коллектор-база | V_CBO | -50 | V Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 | V Постоянный ток коллектора | I_C | -100 | mA Рассеиваемая мощность (при T_amb ≤ 25°C) | P_tot | 250 | mW Температура перехода | T_j | 150 | °C Температура хранения | T_stg | -55 to +150 | °C Электрические характеристики (T_amb = 25°C, если не указано иное) | | | Коэффициент усиления по току (hFE) Класс "A" | I<C> = -2 mA; V<CE> = -5 V | 110 - 220 | - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | I<C> = -10 mA; I<B> = -0.5 mA | -0.25 | V (max) Напряжение насыщения база-эмиттер | I<C> = -10 mA; I<B> = -0.5 mA | -0.7 | V (max) Ток утечки коллектор-эмиттер | I_CEO | -0.1 | µA (max) Граничная частота усиления по току | f_T | 100 | MHz (min)

Примечание: Знак "-" указывает на то, что ток течет из эмиттера.

Парт-номера и совместимые аналоги (Cross-Reference)

Транзисторы с маркировкой BC857 производятся множеством компаний. Маркировка на корпусе SOT-23 будет 3E (где 3 — это код даты, а E — код класса усиления "A").

Прямые аналоги (полные замены) от других производителей:

Производитель | Парт-номер | Примечание :--- | :--- | :--- Nexperia | BC857AE, 215 | Прямой аналог, тот же корпус SOT-23 ON Semiconductor | BC857ALT1G | Прямой аналог STMicroelectronics | BC857A | Прямой аналог Diodes Incorporated | BC857AW-7-F | Прямой аналог WeEn Semiconductors | BC857A | Прямой аналог Rohm Semiconductor | 2SC4081U3T2R | Аналог по характеристикам

Комплементарные пары:

• BC857A (PNP) + BC847A (NPN) — это стандартная комплементарная пара, которую часто используют вместе в схемах.

Важные примечания по замене:

1. Класс усиления: Буква "A" в номере (BC857A) указывает на группу (bin) коэффициента усиления по току (hFE). Существуют также версии BC857B (hFE = 200-450) и BC857C (hFE = 420-800). Замена на транзистор с другим классом усиления может повлиять на коэффициент усиления каскада.
2. Корпус: Все указанные аналоги выпускаются в корпусе SOT-23, что делает их механически совместимыми для пайки.
3. Производитель: При замене в критичных схемах всегда рекомендуется сверяться с даташитом конкретного производителя на предмет незначительных отклонений в некоторых параметрах.

Таким образом, при поиске аналога для Infineon BC857AE6327 вы можете смело использовать любой транзистор с маркировкой BC857A от любого reputable производителя (Nexperia, ON Semi, STM и т.д.).