Infineon BAR6304E6327HTSA1

тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BAR6304E6327HTSA1
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для диода Infineon BAR6304E6327HTSA1.
Описание
Infineon BAR6304E6327HTSA1 — это сверхбыстрый выпрямительный диод с барьером Шоттки, выполненный в маломогаемом корпусе SOD-323F (MiniELF). Этот диод разработан для применений, требующих высокоэффективного выпрямления на высоких частотах с минимальными прямыми потерями.
Ключевые особенности:
- Низкое прямое падение напряжения (Vf): Благодаря технологии барьера Шоттки диод имеет очень низкое Vf (порядка 0.38В при 0.1А), что минимизирует потери мощности и нагрев в низковольтных схемах.
- Сверхбыстрое переключение: Незначительный обратный восстановленный заряд (Qrr) позволяет диоду эффективно работать в высокочастотных импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях и схемах свободного хода (flyback).
- Низкая собственная емкость: Минимальная емкость перехода способствует работе в высокочастотных RF-схемах.
- Корпус SOD-323F: Очень компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD), подходящий для плотной компоновки печатных плат.
Основное применение:
- Высокочастотное выпрямление в импульсных источниках питания (SMPS).
- DC-DC преобразователи.
- Защита от обратной полярности.
- Схемы свободного хода (обратные диоды) в силовых каскадах.
- Выходные выпрямители в низковольтных блоках питания.
Технические характеристики (Electrical Characteristics)
| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Повторяющееся импульсное обратное напряжение | VRRM | | 40 | В | | Средний прямой ток | IF(AV) | | 0.2 | А | | Пиковый прямой импульсный ток | IFSM | tp = 1 μs | 4.5 | А | | Прямое падение напряжения | VF | IF = 0.1 A, Tj = 25°C | 0.38 | В | | | | IF = 0.2 A, Tj = 25°C | 0.50 | В | | Обратный ток | IR | VR = 40 V, Tj = 25°C | 5 | мкА | | | | VR = 40 V, Tj = 125°C | 300 | мкА | | Заряд обратного восстановления | Qrr | IF = 0.1 A, diF/dt = 100 A/μs | 4.5 | нКл | | Тепловое сопротивление (переход-окружающая среда) | RthJA | | 500 | К/Вт | | Диапазон температур перехода | Tj | | -55 до +150 | °C | | Диапазон температур хранения | Tstg | | -55 до +150 | °C |
Механические характеристики (Package Characteristics):
- Корпус: SOD-323F (MiniELF)
- Маркировка: На корпусе нанесена метка "A" (или аналогичная, зависящая от даты производства).
- Масса: ~ 4.5 mg
Part Number (Партномер) и совместимые модели
Полное название компонента — BAR6304E6327HTSA1. Его часто сокращают в спецификациях и даташитах до основной части BAR6304.
Прямые аналоги и совместимые замены (Direct Replacements / Cross Reference)
Следующие компоненты от других производителей являются полными или очень близкими аналогами с аналогичным расположением выводов (pin-to-pin) и схожими электрическими характеристиками. Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с актуальными даташитами, особенно по пиковым токам и тепловым характеристикам.
- ON Semiconductor: MBR0540T1G (40V, 0.5A, SOD-123) Обратите внимание: корпус SOD-123 чуть больше, но часто используется как аналог.
- Diodes Incorporated: SDM0540T1G (40V, 0.5A, SOD-123)
- Vishay: VS-MBR0540ETP-M3 (40V, 0.5A, PowerDI-323) или серия SS0540 в подходящем корпусе.
- Nexperia: BAT54S (Двойной диод Шоттки 30V, в корпусе SOT-23, требует переразводки платы) Не является прямым аналогом по корпусу, но часто используется в схемах по аналогичному назначению.
- Rohm: RB051LAM-40TR (40V, 0.5A, SOD-323FL)
- STMicroelectronics: STPS0540Z (40V, 0.5A, PowerDI-323)
Важное примечание по совместимости:
- Характеристики могут незначительно отличаться (например, прямое падение напряжение Vf или обратный ток Ir).
- Всегда обращайте внимание на корпус. Прямым аналогом в корпусе SOD-323F является, например, Rohm RB051LAM-40TR. Модели в корпусе SOD-123 (например, MBR0540) имеют бóльшие габариты, но совместимы по выводам электрически и часто могут быть установлены на посадочное место для SOD-323 с некоторой осторожностью.
- Для критичных по параметрам схем всегда проверяйте даташиты на соответствие требуемым характеристикам.