Infineon 2A100HB12C1U

Описание и технические характеристики модуля Infineon 2A100HB12C1U

2A100HB12C1U – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как промышленные приводы, источники питания, инверторы и системы управления электродвигателями.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + диод
• Конфигурация: 2 в 1 (двухканальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 55 нс / 340 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием (IHM)
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• Infineon:
  • 2A100HB12C1 (устаревший вариант)
  • 2A100HB12C1U (актуальная версия)
• Совместимые/аналогичные модули от других производителей:
  • Fuji Electric: 2MBI100U2B-120
  • Mitsubishi: CM100DY-12S
  • SEMIKRON: SKM100GB12T4

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы
• Промышленные приводы

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или механические размеры), уточните запрос.