SMC SMC30J33A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора SMC SMC30J33A.

Описание

SMC SMC30J33A — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET® Gen IV от компании Vishay Siliconix. Этот транзистор предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах управления двигателями и других приложениях, где критичны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 3.3 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в ключевом режиме.
• Высокая энергоэффективность: Технология Gen IV обеспечивает исключительно низкий заряд затвора (Qg) и низкие емкости, что приводит к очень высокому КПД в высокочастотных преобразователях.
• Низкое пороговое напряжение: Позволяет эффективно работать от низковольтных логических сигналов (например, от 5В или 3.3В микроконтроллеров), хотя для полного открытия рекомендуется 10В.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Транзистор способен рассеивать значительную энергию в режиме лавинного пробоя, что повышает надежность в индуктивных цепях.
• Полностью Lead-Free (бессвинцовый) и соответствует RoHS.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | TrenchFET® Gen IV | — | | Сток-Исток максимальное напряжение (VDSS) | 30 В | — | | Сток-Исток сопротивление (RDS(on)) | 3.3 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 30 А | | | 4.5 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 20 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 100 А | При TC = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 400 А | — | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 250 Вт | При TC = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0 - 2.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~110 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | ~30 нс (тип.) | — | | Время выключения (td(off) + tf) | ~30 нс (тип.) | — | | Корпус | TO-263AB (D²PAK) | Аналог SMD-корпуса TO-220. Имеет теплоотводящую площадку. | | Температурный диапазон p-n перехода | от -55°C до +175°C | — |

Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номера — это альтернативные обозначения одного и того же компонента от производителя или его официальные коды в различных корпусах.

• SiR456DP-T1-GE3 — Это основной и официальный парт-номер от Vishay для этого транзистора в корпусе D²PAK (TO-263AB). Именно по этому номеру компонент чаще всего указывается в спецификациях и заказывается у официальных дистрибьюторов.
• SMC30J33A — это торговое обозначение (торговая марка) в рамках линейки SMC, под которым компонент известен на рынке.
• Для корпуса TO-220 (сквозной монтаж) существует версия: SiR456ADP-T1-GE3 (или может обозначаться как SIR456ADP).

Совместимые модели / Кросспараметричные аналоги

Это транзисторы от других производителей с максимально близкими или лучшими ключевыми параметрами (30В, очень низкое RDS(on)), которые могут быть использованы в качестве замены в новой разработке или при отсутствии оригинала. Важно всегда сверяться со схемой расположения выводов и проводить тестирование!

Аналоги с напряжением 30-40В и низким RDS(on):

1. Infineon:

   • IPP030N04S4-03 (40В, 3.0 мОм, TO-263) — очень популярный и мощный аналог.
   • IPP030N04S4-04 (40В, 4.0 мОм).
   • BSC030N04LS (40В, 3.0 мОм, OptiMOS).

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FDBL86062_F085 (30В, 2.6 мОм, PowerTrench, D²PAK) — отличный аналог по параметрам.
   • FDMS86200ET80 (30В, 2.8 мОм, PowerTrench, PQFN 5x6).

3. STMicroelectronics:

   • STL160N4F7 (40В, 1.6 мОм, STripFET F7, D²PAK) — более новое и эффективное решение.
   • STP160N4F7 (40В, 1.6 мОм, в корпусе TO-220).

4. Vishay (другие серии):

   • SQJ456EP-T1_GE3 (30В, 3.3 мОм, PowerPAK® 8x8) — в более компактном корпусе.

Рекомендации по замене

При поиске замены для SMC30J33A фокусируйтесь на следующих параметрах в порядке важности:

1. Напряжение VDSS: ≥ 30В.
2. Ток ID: ≥ 100А (с учетом охлаждения).
3. Сопротивление RDS(on): Желательно ≤ 4 мОм при VGS=10В.
4. Корпус: TO-263AB (D²PAK) для прямой механической замены.
5. Заряд затвора (Qg): Для высокочастотных схем — чем ниже, тем лучше.

Важно: Перед установкой аналога всегда проверяйте распиновку (pinout) и рекомендации по разводке печатной платы, особенно для выводов Drain и теплоотводящей площадки.