Freescale MW5IC970NB

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного транзистора Freescale (ныне NXP) MW5IC970NB.

Общее Описание

MW5IC970NB — это кремниевый транзистор LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), предназначенный для работы в качестве выходного каскада усилителя мощности в мощных широкополосных системах. Изначально разработанный компанией Freescale Semiconductor (которая была приобретена NXP Semiconductors в 2015 году), этот компонент является классическим представителем линейки высокоэффективных RF-транзисторов для профессионального и промышленного оборудования.

Его ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: До 50 Вт в широкой полосе частот.
• Широкая полоса частот: Покрывает диапазон от 1800 до 2200 МГц, что делает его идеальным для приложений 2G, 3G, 4G (LTE) и WiMAX.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает значительное усиление сигнала, что упрощает проектирование каскадов усиления.
• Внутренняя согласующая цепь: Упрощает проектирование внешних цепей, так как часть импедансного согласования уже выполнена внутри корпуса.
• Высокая линейность: Критически важна для современных цифровых модуляций (QPSK, QAM), где требуется минимальное искажение сигнала.

Основное применение:

• Выходные каскады усилителей мощности базовых станций сотовой связи (BTS).
• Повторители (репитеры) и усилители сигнала.
• Системы беспроводной связи стандартов 2G (GSM, DCS), 3G (UMTS, W-CDMA), 4G (LTE).
• Оборудование WiMAX и другие широкополосные приложения.

Технические Характеристики (Electrical Characteristics)

• Диапазон частот (Frequency Range): 1800 – 2200 МГц
• Выходная мощность (Output Power - Pout): 50 Вт (47 дБм) типичная для одноканального W-CDMA сигнала.
• Коэффициент усиления (Gain): 16 дБ типичное значение (при 2000 МГц, Pout=50 Вт)
• КПД (Efficiency - Drain Efficiency): ~30% типичный (при 2000 МГц, Pout=50 Вт)
• Линейность (для 2-х тонового сигнала с разносом 1 МГц):
  • Интермодуляционные искажения 3-го порядка (IMD3): -33 дБн типичное значение
• Напряжение питания (Supply Voltage - Vd): 28 В (постоянного тока)
• Ток покоя (Quiescent Current - Idq): 700 мА типичное значение (требует настройки для оптимальной линейности)
• Класс усиления: Работает в классе AB, что обеспечивает хороший компромисс между КПД и линейностью.
• Электрическая прочность:
  • Входное напряжение (VSWR): Выдерживает несоответствие импеданса 10:1 на всех фазах (при номинальном напряжении питания 28V и Pout=50W).

Парт-номера и Совместимые/Аналогичные Модели

Поскольку производство MW5IC970NB могло быть прекращено или переведено в статус "Not Recommended for New Designs" (NRND), важно знать прямые аналоги и парт-номера для поиска.

1. Прямые аналоги и модификации от NXP (Freescale):

Эти транзисторы имеют схожие характеристики, корпус и часто являются pin-to-pin совместимыми аналогами или более новыми версиями.

• MW5IC971NB: Очень близкий аналог, часто используется в тех же схемах.
• MW7IC970NB: Более новая и улучшенная версия, разработанная для диапазона 1800-2200 МГц. Часто рекомендуется для новых проектов.
• AFT27S010NR3 / AFT27S010N (от NXP): Мощный транзистор LDMOS на 45 Вт, разработанный для диапазона 2300-2700 МГц, но может рассматриваться для определенных задач в близком частотном диапазоне.
• MRF7S21140HR6 / MRF7S21140HSR6 (от NXP): Транзистор на 140 Вт, но может использоваться в других каскадах или требует другой схемотехники.

2. Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • PD57070S-E: Мощный LDMOS транзистор на 70 Вт для диапазона 1800-2200 МГц. Является очень популярным и распространенным аналогом.
• Ampleon (ранее RF Power division NXP):
  • BLF888BS, BLF888B: Мощные транзисторы, также подходящие для этого частотного диапазона. Ampleon унаследовала многие линейки продуктов от NXP.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH40050F: 50-ваттный транзистор на основе Nitride Gallium (GaN). GaN-технология предлагает более высокую выходную мощность, wider полосу пропускания и higher КПД, но требует более сложной схемы смещения и, как правило, дороже. Не является прямым pin-to-pin заменой, но представляет собой современную альтернативу для новых разработок.

Важные Примечания

1. Статус производства: Проверяйте актуальный статус компонента (Active, NRND, Obsolete) на официальном сайте NXP Semiconductors. Для новых проектов крайне рекомендуется выбирать более современные и доступные аналоги.
2. Схема применения: Для стабильной и эффективной работы транзистора обязательно требуется использование внешней схемы смещения (bias circuit), которая обеспечивает правильный ток покоя (Idq). Также необходима тщательно рассчитанная ВЧ-разводка и система теплоотвода, так как компонент рассеивает значительную мощность.
3. ESD защита: LDMOS транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству. При работе с ними необходимо соблюдать все меры ESD-безопасности.
4. Документация: Перед использованием всегда изучайте официальный Datasheet от NXP, где содержится исчерпывающая информация по электрическим режимам, типовым схемам включения и монтажу.